10MQ060NPbF
肖特基整流器， 2.1
日前，Vishay高功率产品
150
10
允许外壳温度（ ℃）
I
F
- 正向
电流（A ）
140
130
120
110
100
90
80
70
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
见注（ 1 ）
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
DC
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 4 - 最大平均正向电流与
允许焊接温度
1.4
100
I
R
- 反向电流（mA ）
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
平均功耗（ W）
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
10
20
30
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
RMS限制
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
50
60
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向峰值电流与
反向电压
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大正向平均功耗对比
平均正向电流
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
100
100
C
T
- 结电容（pF ）
10
T
J
= 25 °C
在任何额定负载条件和
额定V
RRM
应用的
以下浪涌
1
10
100
1000
10 000
10
0
10
20
30
40
50
60
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 6 - 最大峰值浪涌正向电流与
脉冲持续时间
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
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3
文档编号： 94118
修订： 16 -APR- 08
