对产品线
Diodes公司
ZNBG3118
应用信息
* L1
* L3
* C1
C2
10nF
C7
10nF
* C8
J1
* L3
J2
* L2
* L4
J3
C6
10nF
* C5
* C3
C4
10nF
C9
10nF
* C10
新产品
D12
G2
G3
D3
G1
GND
Cnb1
Cnb2
*带状线元素
CNB 47nF的
RCAL
CSUB
鳍
CSUB 47nF的
VPOL
ZNBG3118
LB
HB
VCC
LOV
RLV1
RLV2
RHB2
RHB1
RLB1
RLB2
CLB
CHB
Q4
Q5
RCAL 39K
CFIN
330pF
9.75GHz的本地振荡器。
10.6GHz的本地振荡器。
RPOL
10k
VCC
LNB Downf EED
图5为应用程序使用双极本地振荡器的ZNBG3118电路
图5是一个典型的应用电路的ZNBG3118 ，示出所需的所有适当的偏置的外部元件。
的偏置电路在整个温度范围内与相关联的FET和栅极与漏极无条件稳定
电容在电路中。电容器C2，C4 ，C6，C7和C9确保残留的电源和基板产生的噪声是不
使其影响外部电路可以是对干扰敏感。它们还有助于抑制任何潜在的RF饲料
通过经ZNBG3118阶段之间。这些电容器都需要使用的所有阶段。各地10nF的值是
推荐然而这取决于设计和1nF的和100nF的之间的任何值都可以使用。电容C
子
是一个
该ZNBG3118负电源发生器的组成部分。负偏压使用内部片上产生的
振荡器。电容器C的所要求的值
子
为47nF的。这种发生器产生的大约-2.5V的低电流供给。
虽然这个发生器被纯粹旨在偏压外部场效应管，它可用于通过来驱动其他外部低电流电路
了C
子
引脚。需要注意的是封装的裸焊盘必须要么悬空或连接到Csub的。
电阻R
CAL
设置在所有的外部放大器FET被操作的漏极电流。为了尽量减少引脚数和封装尺寸
漏1 （D1）和漏极2（ D2），都有一个共同的销。如果不需要任何偏置控制电路，其相关的漏极和栅极连接
可以留开路，而不影响其余偏压电路的操作。
该ZNBG3118已被设计来保护免受不利的操作条件的外部FET 。具有连接到JFET
任何偏置电路，偏置电路的栅极输出电压不能超过该范围-3V的条件下，包括功率达
和断电瞬间。应的负偏压发生器被短路或过载，使得外部的漏电流
场效应管不再能控制，漏极供给到场效应晶体管被关闭，以避免损坏在FET由过大的漏极电流。
ZNBG3118
文件编号： DS32049修订版1 - 2
8 10
www.diodes.com
2010年1月
Diodes公司
