电气特性
表7. ESD和闩锁保护特性
号
1
2
3
1
等级
1
人体模型（ HBM ）
充电设备模型（ CDM）
闩锁电流在T
A
= 85
°C
符号
V
HBM
V
清洁发展机制
I
LAT
民
2500
750
±100
最大
—
—
—
单位
V
V
mA
参数设计上的特征与典型设备的小样本量达到
典型条件下，除非另有说明。
2.6
DC特性
本节包括有关电源要求和I / O引脚特性的信息。
表8. DC特性
编号C
1
2
工作电压
P输出高电压 - 低驱动（ PTxDSn = 0 ）
5 V，I
负载
= -2毫安
3 V，I
负载
= -0.6毫安
输出高电压 - 高驱动（ PTxDSn = 1 ）V
5 V，I
负载
= -10毫安
3 V，I
负载
= -3毫安
3
P输出低电压 - 低驱动（ PTxDSn = 0 ）
5 V，I
负载
= 2毫安
3 V，I
负载
- 0.6毫安
输出低电压 - 高驱动（ PTxDSn = 1 ）
5 V，I
负载
= 10毫安
3 V，I
负载
= 3毫安
4
P输出大电流 - 最大总I
OH
所有端口
5V
3V
5
C输出大电流 - 最大总I
OL
所有端口
5V
3V
6
7
8
9
10
11
12
13
P带隙基准电压源
P输入高电压;所有数字输入
P输入低电压;所有数字输入
P输入迟滞;所有数字输入
P输入漏电流;仅输入引脚
2
V
In
= V
DD
或V
SS
普高阻抗（关闭状态）漏电流
V
In
= V
DD
或V
SS
P内部上拉电阻
3
P内部下拉电阻
4
R
PU
R
PD
20
20
45
45
65
65
kΩ
kΩ
|I
OZ
|
—
0.1
1
μA
V
BG
V
IH
V
IL
V
HYS
|I
In
|
—
0.65 * V
DD
—
0.06 x垂直
DD
—
1.225
I
OLT
—
—
100
60
—
V
V
V
mV
μA
I
OHT
—
V
OL
特征
符号
—
V
OH
V
DD –
0.8
V
DD –
0.8
V
DD –
0.8
V
DD –
0.8
—
—
—
—
—
—
100
60
mA
0.8
0.8
0.8
0.8
mA
—
—
—
—
—
—
—
—
V
民
2.7
典型值
1
—
最大
5.5
单位
V
V
—
—
—
0.1
—
0.35 x垂直
DD
—
1
MC9S08LG32系列数据手册，第7
飞思卡尔半导体公司
13
