RT9701
功能说明
该RT9701是一个高端的单N沟道开关
具有高电平有效使能输入。
输入和输出
VIN（输入）是电源连接到
电路和所述输出MOSFET的漏极。 VOUT
（输出）是输出MOSFET的源极。在一个
典型的电路中，电流流过的开关
VIN到VOUT负载方向。无论VOUT引脚必须
很短的电路板和连接到负载和
这样做既VIN引脚，但连接到电源
源。
热关断
热关断关断输出MOSFET ，如果
管芯温度超过130℃， 20℃的
迟滞迫使开关关闭，直到模具
温度下降至110℃ 。
ON
V
CE
关闭
V
IN
VIN
CE
RT9701CB
VOUT
GND
C
OUT
33
F
V
OUT
V
IN
C
IN
1
F
VIN
GND
RT9701 CX
VOUT
C
OUT
33
F
V
OUT
应用信息
图。 1高侧电源开关
C
IN
1
F
软启动
为了消除上游电压跌落
在热插引起的大浪涌电流
事件中，“软启动”功能有效地隔离
电源从这样的高度容性负载。
欠压锁定
UVLO保护MOSFET的开关从开启
直到输入电压超过1.8V （典型值） 。如果输入
电压低于1.8V （典型值） ， UVLO关闭
MOSFET开关。
电流限制和短路保护
电流限制电路被设计用来保护
系统供电时，MOSFET开关和负载
免受过电流的损坏。该
限流阈值被内部设置为允许
最小的1.1A过MOSFET ，但限制了
输出电流为1.5A左右的典型。当
该输出是对地短路，这将限制在一个恒定
电流0.5A ，直到热关断和短路状态
删除。
筛选
图。 2高侧电源开关与芯片使能控制
以限制在热插事件输入的电压降，
从VIN连接一个1μF的陶瓷电容到地。
然而，较高的电容值，将进一步降低
在输入端上的电压降。
从VOUT连接一个33μF电容到地。这
电容有助于防止寄生电感
在关断或损害EMI拉VOUT负
在热分离过程中的其他组件。如果
RT9701被植入装置端应用，
最低1uF的电容从VOUT到GND为
推荐的和更高的电容值也
首选。
在选择这些电容，必须特别注意
支付给等效串联电阻， ESR ，
电容器，以最大限度地降低了IR压降
电容的ESR 。
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DS9701-01 2000年12月
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