16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
表12 ： DC
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 2.7-3.6V
1
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
读
3
编程和擦除
I
SB
I
ALP
I
LI
I
LIW
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
待机V
DD
当前
自动低功耗
输入漏电流
输入漏电流
在WP ＃引脚和RST ＃
输出漏电流
输入低电压
输入低电压（ CMOS ）
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
0.7V
DD
V
DD
-0.3
0.2
18
35
20
20
1
10
10
0.8
0.3
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT2
，在f = 5MHz时，
V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = WE＃ = V
IH
，所有I / O开放
CE＃ = WE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
IHC
, V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
ILC
, V
DD
=V
DD
最大
所有输入= V
SS
或V
DD,
WE＃ = V
IHC
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
WP ＃ = GND到V
DD
或RST ＃ = GND到V
DD
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
T12.8 1223
对于数据表的头版上显示的有源电流1.典型的情况是在25 ℃的平均值
（室温）和V
DD
= 3V 。未经100％测试。
2.请参阅图17
3.我
DD
目前上市通常比2毫安/ MHz的少，与OE ＃在V
IH 。
典型的V
DD
为3V 。
表13 ，R
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU-READ1
T
PU- WRITE
1
参数
上电到读操作
上电到编程/擦除操作
最低
100
100
单位
s
s
T13.0 1223
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表14 ：C
APACITANCE
参数
C
I / O
C
IN
1
1
（ TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T14.0 1223
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表15 ，R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
结束
T
DR1
I
LTH1
1,2
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T15.2 1223
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2. N
结束
耐力评级资格10,000周期最低为整个设备。一个部门或块级评级将导致
较高的最低规格。
2003硅存储技术公司
S71223-03-000
11/03
13
