数据表AS1100
计算功耗
对于功耗（PD ）为AS1100的上限由下式确定：
PD = （ VDD X 0.5毫安） + （ VDD - V
LED
） （ DUTY ×1
赛格
X N）
其中：
VDD =电源电压
通过强度寄存器DUTY =占空比设置
N =段数驱动（最坏的情况下为8）
V
LED
= LED正向电压
I
赛格
=段电流由R设定
SET
耗散示例：
I
赛格
= 40毫安， N = 8 ， DUTY = 31/32 ，V
L ED
= 1.8V时40毫安， VDD = 5.25V
PD = 5.25V （ 0.5mA）即可+ （ 5.25V - 1.8V ） （ 31/32 X 40毫安×8 ） = 1.07W
因此，对于一个PDIP封装
θ
JA
= + 75 ° C / （表13 ） W，最大允许环境温度T
A
由下式给出：
T
， MAX
= T
A
+ PD X
θ
J A
= 150℃ = T
A
+ 1.07W ×75 ° C / W 。
其中T
A
= +69.7°C.
经t
A
上面的限制所以在散热例如包是+ 59.0 ℃。
包装信息
英寸
DIM MIN MAX
A 0.093 0.104
A1 0.004 0.012
B 0.014 0.019
C 0.009 0.013
D 0.598 0.614
e
0.050
E 0.291 0.299
H 0.394 0.419
L 0.016 0.050
MILLIMETERS
民
最大
2.35
2.65
0.10
0.30
0.35
0.49
0.23
0.32
15.20 15.60
1.27
7.40
7.60
10.00 10.65
0.40
1.27
图4 ： SOIC -24封装尺寸
版本1.32 ， 2004年10月
第10页12的
