VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M

P沟道增强型MOSFET晶体管

产品概述

产品型号

VP0808B

VP0808L

VP0808M

VP1008B

VP1008L

VP1008M

–100

–80

V

（ BR ） DSS

敏（ V）

r

DS （ ON）

最大值（W）的

5 @ V

GS

= –10 V

5 @ V

GS

= –10 V

5 @ V

GS

= –10 V

5 @ V

GS

= –10 V

5 @ V

GS

= –10 V

5 @ V

GS

= –10 V

V

GS （ TH）

(V)

-2至-4.5

-2至-4.5

-2至-4.5

-2至-4.5

-2至-4.5

-2至-4.5

I

D

(A)

–0.88

–0.28

–0.31

–0.79

–0.28

–0.31

特点

D

D

D

D

D

高侧开关

低导通电阻： 2.5

W

中等阈值： -3.4 V

开关速度快： 40纳秒

低输入电容： 75 pF的

TO- 205AD （TO- 39）的

（案例漏）

S

1

好处

D

D

D

D

D

缓解驾驶开关

低失调（错误）电压

低电压操作

高速开关

轻松驱动无缓冲器

TO-226AA

(TO-92)

应用

D

司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，

显示器，记忆，晶体管等。

D

电池供电系统

D

电源供应器，转换器电路

D

电机控制

TO-237

（制表漏）

S

1

S

1

G

VP0808B

VP1008B

D

顶视图

2

VP0808L

VP1008L

3

G

2

VP0808M

VP1008M

3

2

G

3

D

D

顶视图

顶视图

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

(T

J

= 150_C)

漏电流脉冲

a

功耗

T

A

=

25_C

T

A

=

100_C

T

A

=

25_C

T

A

=

100_C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

R

thJA

R

thJC

T

J

, T

英镑

VP0808B

b

–80

"20

–0.88

–0.53

–3

6.25

2.5

20

VP0808L

–80

"30

–0.28

–0.17

–3

0.8

0.32

156

VP0808M

–80

"30

–0.31

–0.20

–3

1

0.4

125

VP1008B

b

–100

"20

–0.79

–0.53

–3

6.25

2.5

20

VP1008L

–100

"30

–0.28

–0.17

–3

0.8

0.32

156

VP1008M

–100

"30

–0.31

–0.20

–3

1

0.4

125

单位

V

A

W

° C / W

_C

最大结点到环境

最大结到外壳

工作结

存储温度范围

-55到150

笔记

一。脉冲宽度有限的最高结温。

B 。参考案例为所有温度测试。

更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70218 。

Siliconix公司

P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94

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