VP0808B / L / M ， VP1008B / L / M
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
–2.0
T
J
= 25_C
–1.6
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= –10 V
I
D
- 漏电流（mA ）
–9 V
–8 V
–7 V
–0.8
–6 V
–0.4
–5 V
–4 V
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
–16
–20
T
J
= 25_C
V
GS
= –4.0 V
输出特性为低栅极驱动
–1.2
–12
–3.8 V
–8
–3.6 V
–3.4 V
–3.2 V
–4
–0.5
传输特性
7
T
J
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
6
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 25_C
–0.4
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
= –10 V
–0.3
125_C
25_C
I
D
= 0.1 A
5
4
3
2
1
0.5 A
1.0 A
–0.2
–0.1
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
W
)
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
（归一化）
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= –10 V
I
D
= 0.5 A
8
6
4
V
GS
= –10 V
2
0
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
I
D
- 漏极电流（ A）
–50
–10
30
70
110
150
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
P- 37655 -REV 。 B， 25 -JUL- 94
3
