VSMF3710
威世半导体
180
120
P
v
- 功耗（MW ）
160
I
F
- 正向电流（mA ）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
R
thJA
= 400 K / W
100
R
thJA
= 400 K / W
80
60
40
20
0
0
60
70
80
90 100
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
20140
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
20141
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.功耗限制与环境温度
图2.正向电流限制与环境温度
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
虚拟源大小
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
6
125
10
100
40
- 0.35
± 60
890
40
0.25
30
30
0.44
22
民
典型值。
1.4
2.3
- 2.1
10
最大
1.6
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
mm
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2
文档编号81241
修订版1.5 25 -JAN- 07
