绝对最大额定值（Ta = 25℃）
参数
电源电压
输出电压
N沟道开漏输出
CMOS输出
符号
VDD - GND
V
OUT
V
CT
Pd
Pd
TOPR
TSTG
CT的输入电压
功耗：
SSOP5
(SMP5C2)
*
1
功耗：
VSOF5
(EMP5)
*
2
工作温度范围
存储温度范围
范围
– 0.3 ~ + 10
GND - 0.3 + 10
GND - 0.3 VDD + 0.3
GND - 0.3 VDD + 0.3
540
210
– 40 ~ + 85
– 55 ~ + 125
单位
V
V
V
mW
mW
C
C
*
1
降额： 5.4mW /
C
操作上面TA = 25
C
（安装在70.0mmX70.0mmX16mm玻璃环氧树脂印刷电路板）。
*
2
降额： 2.1mW /
C
操作上面TA = 25
C
（安装在70.0mmX70.0mmX16mm玻璃环氧树脂印刷电路板）。
电气特性（
除非另有说明; TA = -25 85℃）
参数
检测电压
温度COEF网络cient
*1
符号
分钟。
典型值。
±100
VsX0.05
0.80
0.85
0.90
0.95
0.75
0.80
0.85
0.90
—
1.2
5.0
1.4
1.8
2.2
—
V
DD
X0.4
V
DD
X0.45
V
DD
X0.5
V
DD
X0.5
9
40
240
马克斯。
单位
条件
L
V
DET
=2.3~3.1V
V
DET
=3.2~4.2V
V
DD
=V
DET
–0.2V
V
DET
=4.3~5.2V
V
DET
=5.3~6.0V
V
DET
=2.3~3.1V
V
DET
=3.2~4.2V
V
DD
=V
DET
+2V
V
DET
=4.3~5.2V
V
DET
=5.3~6.0V
R
L
= 470KΩ ，V
OL
≥
0.4V
V
DS
=0.5V, V
DD
=1.2V
V
DS
=0.5V, V
DD
=2.4V (V
DET
≥
2.7V)
V
DS
=0.5V, V
DD
=4.8V V
DET
=2.3~4.2V
V
DS
=0.5V, V
DD
=6.0V V
DET
=4.3~5.2V
V
DS
=0.5V, V
DD
=8.0V V
DET
=5.3~6.0V
V
DD
=V
DS
=10V
V
DET
=2.3~2.6V
V
DET
=2.7~4.2V
V
DD
=V
DET
X1.1
V
DET
=4.3~5.2V
V
DET
=5.3~6.0V
V
DD
=V
DET
X1.1
V
CT
=0.1V,V
DD
=0.95V
V
CT
=0.5V,V
DD
=1.5V
RL = 470KΩ ，V
DD
=L
H
滞后电压
电路电流时的开
短路电流OFF时
分钟。工作电压
"L"输出电流
"H"输出电流
输出漏电流
*1
CT引脚阈值电压
输出延迟性
*1
CT引脚输出电流
*1
—
V
DET
/T
V
DET
VsX0.03
—
—
Icc1
—
—
—
—
Icc2
—
—
V
OPL
0.95
0.4
I
OL
2.0
0.7
I
OH
0.9
1.1
ILEAK
—
V
DD
X0.3
V
CTH
V
DD
X0.3
V
DD
X0.35
V
DD
X0.4
R
CT
5.5
15
I
CT
150
±360
PPM /°C的
VsX0.08
%
2.40
2.55
A
2.70
2.85
2.25
2.40
A
2.55
2.70
—
V
—
mA
—
—
mA
—
—
0.1
A
V
DD
X0.6
V
DD
X0.6
V
V
DD
X0.6
V
DD
X0.6
12.5
M
—
A
—
* 1该值存在保证在Ta = 25℃。
*2 T
PLH
: V
DD
=(V
DET
typ.–0.5V)
(V
DET
typ.+0.5V).
注）的RL是没有必要的，在CMOS输出类型。
注）请参阅线表的检测电压。
特性图和测量电路
10
1
输出延迟时间"L
[BD5242G/FVE]
H"
40.00
35.00
30.00
输出延迟时间"H
L"
[BD5242G/FVE]
延迟时间[s]
延迟时间[μs ]
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0.000001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
25.00
20.00
15.00
10.00
5.00
0.00
0.0001
0.0010
0.0100
0.1000
1.0000
CT电容[ μF ]
5V
R
L
=100k
V
DD
CT
V
DET
0.5V
GND
100pF
V
OUT
V
DET
0.5V
CT电容[ μF ]
5V
R
L
=100k
V
DD
CT
GND
100pF
V
OUT
