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D A T A
中文ê （E T）
AC特性
备用CE ＃控制的擦除和编程操作
参数
JEDEC
t
AVAV
t
AVWL
t
ELAX
t
DVEH
t
EHDX
t
GHEL
t
WLEL
t
EHWH
t
ELEH
t
EHEL
标准。
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
GHEL
t
WS
t
WH
t
CP
t
CPH
描述
写周期时间（注1 ）
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
阅读恢复时间之前写
（ OE ＃高到我们＃低）
WE＃建立时间
WE＃保持时间
CE＃脉冲宽度
CE＃脉冲宽高
写缓冲器程序操作（注2，注3 ）
有效的写缓冲器程序操作（注
2, 4)
有效的加速写入缓冲区方案
操作（注2,4）
单人双字/字编程操作
（注2 ）
加速时，单双字/词
编程操作（注2 ）
t
WHWH2
t
WHWH2
扇区擦除操作（注2 ）
每字
每双
每字
每双
字
双
字
双
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
速度选项
110R
110
0
45
45
0
0
0
0
45
30
240
7.5
15
6.25
12.5
60
60
54
54
0.5
120R
120
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
s
s
s
s
s
美国证券交易委员会
t
WHWH1
t
WHWH1
注意事项：
1.不100 ％测试。
2.请参阅“擦除和编程性能”一节以获取更多信息。
3.对于1-16的双编程/ 1-32字。
4.有效的写缓冲器规范是基于一个16双字/ 32字写入缓冲器的操作。
5.上市规格的交流与V测试
IO
= V
CC
。在交流操作时，请与Spansion公司的信息V
IO
≠
V
CC
54
S70GL256M00
2006年S70GL256M00_00_A1 10月31日，
