位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1710页 > S75PL127JCEBFWU0 > S75PL127JCEBFWU0 PDF资料 > S75PL127JCEBFWU0 PDF资料1第15页
P L I M I N A R
写周期也在内部锁存器所需的编程地址和数据
和擦除操作。读数据从装置的类似于读取从
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序指令序列。该
解锁旁路模式，要求只有两个有利于更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。设备擦除时执行
擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成了
阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好读取阵列数据或AC-
CEPT另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区被擦除和重现
编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器automat-
ically在电源转换禁止写操作。硬件部门
保护功能将禁用这两个程序在任何组合擦除操作
化的内存部门。这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使用户把擦除
持为任何时间段读取数据，或程序数据，任何扇区这
不选择删除。真实背景擦除因此可以实现。如果读
从SecSi部门区域（一次性项目区）擦除后需要
暂停，则用户必须使用适当的命令序列以进入和退出
这个地区。
该器件提供两种省电功能。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量，该设备进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备进入待机模式。耗电量
在这两种模式被大大降低。
该装置通过电福勒同时擦除一个扇区内的所有位
Nordheim隧穿。的数据是使用热电子注入编程。
16
S29PL127J / S29PL064J / S29PL032J的MCP
2004年S29PL127J_064J_032J_MCP_00_A3 8月12日，
