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APTM100AM90F
相脚
MOSFET功率模块
VBUS
Q1
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 90mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 78A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
G1
OUT
S1
Q2
特点
功率MOS 7
FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
G2
S2
0/VBUS
VBUS
0/VBUS
OUT
G1
S1
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
S2
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1–6
APTM100AM90F-版本1
最大额定值
1000
78
59
312
±30
105
1250
25
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
mJ
2005年5月
