位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1200页 > APM4532KC-TR > APM4532KC-TR PDF资料 > APM4532KC-TR PDF资料1第3页
APM4532K
电气特性（续）
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM4532K
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
二极管的特性
V
SD
a
二极管的正向电压
b
I
SD
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
SD
= -1.7A ，V
GS
=0V
N沟道
P沟道
0.7
-0.7
1.3
-1.3
V
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
栅极电阻
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
N沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
Frequency=1.0MHz
P沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
N沟道
V
DD
= 15V ，R
L
=15,
I
DS
= 1A ，V
根
=10V,
R
G
=6
P沟道
V
DD
= -15V ，R
L
=15,
I
DS
= -1A ，V
根
=-10V,
R
G
=6
b
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
3
13
440
530
90
90
40
40
10
8
8
7
20
15
5
7
15
15
20
20
28
28
15
18
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
pF
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项：
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=5A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-3.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
12.6
8
4.7
2
1.1
1
17
12
nC
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
3
www.anpec.com.tw
