SA5.0A系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注6 ）= 35 A）
设备
记号
SA5.0A
SA6.0A
SA7.0A
SA7.5A
SA8.0A
SA8.5A
SA9.0A
SA10A
SA11A
SA12A
SA13A
SA14A
SA15A
SA16A
SA17A
SA18A
SA20A
SA22A
SA24A
SA26A
SA28A
SA30A
SA33A
SA36A
SA40A
SA43A
SA45A
SA48A
SA51A
SA58A
SA60A
SA64A
SA64A
SA70A
SA78A
SA90A
SA100A
SA110A
SA120A
SA130A
SA150A
SA160A
SA170A
V
RWM
（注3）
伏
5
6
7
7.5
8
8.5
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
58
60
64
64
70
78
90
100
110
120
130
150
160
170
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
600
600
150
50
25
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
6.4
6.67
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
64.4
66.7
71.1
71.1
77.8
86.7
100
111
122
133
144
167
178
189
V
BR
（注4 ）
（伏）
民
喃
6.7
7.02
8.19
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
12.85
14
15.15
16.4
17.6
18.75
19.9
21.05
23.35
25.65
28.1
30.4
32.75
35.05
38.65
42.1
46.55
50.3
52.65
56.1
59.7
67.8
70.2
74.85
74.85
81.9
91.25
105.5
117
128.5
140
151.5
176
187.5
199
最大
7
7.37
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
71.2
73.7
78.6
78.6
86
95.8
111
123
135
147
159
185
197
209
@ I
T
mA
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注5 ）
V
C
伏
9.2
10.3
12
12.9
13.6
14.4
15.4
17
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
93.6
96.8
103
103
113
126
146
162
177
193
209
243
259
275
I
PP
A
54.3
48.5
41.7
38.8
36.7
34.7
32.5
29.4
27.4
25.1
23.2
21.5
20.6
19.2
18.1
17.2
15.4
14.1
12.8
11.9
11
10.3
9.4
8.6
7.8
7.2
6.9
6.5
6.1
5.3
5.2
4.9
4.9
4.4
4.0
3.4
3.1
2.8
2.5
2.4
2.1
1.9
1.8
QV
BR
毫伏/°C的
5
5
6
7
7
8
9
10
11
12
13
14
16
17
19
20
23
25
28
30
31
36
39
41
46
50
52
56
61
70
71
76
76
85
95
110
123
133
146
158
184
196
208
设备*
SA5.0A ，G
SA6.0A ，G
SA7.0A ，G
SA7.5A ，G
SA8.0A ，G
SA8.5A ，G
SA9.0A ，G
SA10A ，G
SA11A ，G
SA12A ，G
SA13A ，G
SA14A ，G
SA15A ，G
SA16A ，G
SA17A ，G
SA18A ，G
SA20A ，G
SA22A ，G
SA24A ，G
SA26A ，G
SA28A ，G
SA30A ，G
SA33A ，G
SA36A ，G
SA40A ，G
SA43A ，G
SA45A ，G
SA48A ，G
SA51A ，G
SA58A ，G
SA60A ，G
SA64A ，G
SA64ALF ，G
SA70A ，G
SA78A ，G
SA90A ，G
SA100A ，G
SA110A ，G
SA120A ，G
SA130A ，G
SA150A ，G
SA160A ，G
SA170A ，G
注意：
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来的选择
使用和最佳的整体价值。
3. MiniMOSORBt瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），其
应等于或大于直流或连续峰值工作电压电平。
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图4和每图1和图2减功率5.浪涌电流波形。
6. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟
*在“G ”后缀表示无铅封装。
不可用5000 /磁带&卷轴。
http://onsemi.com
3
