EMF5XV6T5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
Q
1
开关特性
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
基本特征
（注3）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压（上）
输出电压（关）
输入电阻
电阻率
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
R1/R2
80
4.9
32.9
0.8
140
47
1.0
0.25
0.2
61.1
1.2
VDC
VDC
VDC
k
W
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.1
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
Q
2
开关特性
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
发射-Base击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征
直流电流增益（注4 ）
集电极发射极饱和电压（注4 ）
基地发射极饱和电压（注4 ）
基地发射极导通电压（注4 ）
输入电容
输出电容
开启时间
关断时间
(I
C
= -10毫安，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -200毫安，我
B
= -10毫安）
(I
C
= -150毫安，我
B
= -20毫安）
(I
C
= -150毫安，V
CE
= 3.0 V)
(V
EB
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
(V
CB
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
(I
BI
= -50毫安，我
C
= -500毫安，R
L
= 3.0
W)
(I
B1
= I
B2
= -50毫安，我
C
= -500毫安，R
L
= 3.0
W)
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
270
0.81
0.81
52
30
50
80
680
250
0.90
0.875
mV
V
V
pF
pF
ns
ns
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
(I
C
= -0.1 MADC ，我
E
= 0)
(I
E
= -0.1 MADC ，我
C
= 0)
(V
CB
= -15伏直流，我
E
= 0)
(V
EB
= -6.0 V直流）
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
12
15
6.0
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％ 。
4.脉冲条件：脉冲宽度= 300
毫秒，
占空比
≤
2%.
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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2
