512千位/ 1兆位/ 2兆位1.8V SPI串行闪存
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020
超前信息
说明
指令用于读取，写入（擦除和编程）
并配置SST25WF512 / 010 / 020 。该指令
总线周期均为8位命令（操作码） ，数据，
和地址。写使能（ WREN）指令
之前，必须先字节编程执行时，自动地址
递增（AAI ）编程，扇区擦除，块擦除，
写状态寄存器或全片擦除指令。该
完整的指令在表8和9提供的所有
指令同步过的高到低转换
CE＃ 。输入将在SCK的上升沿被接受
先从最显著位。 CE ＃必须驱动
低的指令前输入并必须被驱动
高后的指令的最后一位被移位
（除了读，读ID和读状态寄存器
说明）。在CE ＃任何低到高的转变，前
接收指令总线周期的最后位，将termi-
内特正在执行的指令和设备返回
待机模式。指令命令（操作码） ，
地址和数据是从最显著所有输入
位（ MSB）在前。
表8 ：设备操作说明SST25WF512和SST25WF010
指令
读
高速读取
4 K字节以部门
抹去
3
32 K字节块 -
抹去
4
芯片擦除
字节编程
AAI -字编程
5
RDSR
6
EWSR
7
WRSR
雷恩
7
WRDI
RDID
8
EBSY
DBSY
JEDEC -ID
EHLD
描述
阅读记忆
擦除4 K字节的
存储阵列
擦除32 K字节的块
存储器阵列的
删除全部内存阵列
要计划一个数据字节
自动地址递增
程序设计
读状态寄存器
启用 - 写状态寄存器
写状态寄存器
写使能
写禁止
读ID
操作码周期
1
0000 0011B （ 03H ）
0010 0000B （ 20H ）
0101 0010B （ 52H ）
0110 0000B （ 60H ）或
1100 0111b （ C7H ）
0000 0010B （ 02H ）
1010 1101B （ ADH ）
0000 0101B （ 05H ）
0110 0000B （ 50H ）
0000 0001B （ 01H ）
0000 0110b （ 06H ）
0000 0100B （ 04H ）
1001 0000B （ 90H ）或
1010 1011B （ ABH ）
地址
周期（S ）
2
3
3
3
3
0
3
3
0
0
0
0
0
3
0
0
0
0
DUMMY
数据
最大
周期（S ）周期（S ）频率
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
∞
1
∞
0
0
0
1
2
∞
1
∞
0
1
0
0
1
∞
0
0
3
∞
0
T8.0 1328
20兆赫
读存储器以更快的速度0000 1011B （ 0BH ）
40 MHZ
使SO输出RY / BY ＃
0111 0000B （ 70H ）
在AAI编程状态
SO禁用输出RY / BY ＃1000 0000B （ 80H ）
在AAI编程状态
JEDEC ID读
能HOLD ＃引脚功能
在RST ＃ / HOLD ＃引脚
1001 1111B （ 9FH ）
1010 1010B （ AAH ）
1.
2.
3.
4.
5.
一个总线周期为8个时钟周期。
地址位以上各密度的最显著位可为V
IL
或V
IH
.
4 KB扇区擦除地址：使用
MS
-A
12,
剩余的地址是不关心，但必须设置要么在V
IL
或V
IH 。
32 K字节块擦除地址：使用
MS
-A
15,
剩余的地址是不关心，但必须设置要么在V
IL
或V
IH 。
继续编程到下一个顺序地址单元中，输入8位的命令， ADH ，随后2个字节的数据是
编程。数据字节0将被编程到初始地址[A
23
-A
1
]随
0
= 0，数据字节1将被编程到
初始地址[A
23
-A
1
]随
0
= 1.
6.读状态寄存器是连续的，持续的时钟周期，直到由低到终止于CE ＃高的转变。
7.无论EWSR或WREN其次WRSR会写状态寄存器。该EWSR - WRSR序列提供向后相容
ibility到SST25VF / LF系列。在WREN - WRSR序列，建议用于新设计。
8.制造商ID被读取具有
0
= 0 ，和设备ID被读取具有
0
= 1 。所有其他地址位是00H 。制造商ID和
器件ID输出流是连续的，直到通过CE＃低到高的转变终止。
2006硅存储技术公司
S71328-01-000
02/07
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