SIGC25T60NC
IGBT芯片在NPT技术
产品特点：
600V NPT技术
100微米芯片
正温度系数
简单的并联
C
该芯片被用于：
IGBT模块
应用范围：
驱动器
G
E
芯片型号
SIGC25T60NC
V
CE
600V
I
Cn
30A
模具尺寸
4.5× 5.71毫米
2
包
锯成薄片上
订购代码
Q67050-A4143-
A001
力学参数：
栅格尺寸
总面积/主动
发射极焊盘尺寸
门焊盘尺寸
厚度
晶圆尺寸
平位置
每片晶圆的芯片Max.possible
钝化前端
发射金属
收藏家金属化
DIE BOND
引线键合
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
4.5 x 5.71
25.69 / 21.4
2x( 2.18x1.58 )
0.68 x 1.08
100
150
270
566
Photoimide
3200纳米的铝硅1 ％
1400纳米镍银 - 系统
适用于环氧树脂和软钎焊接模具
导电胶水或焊料
AL ，
≤500m
0.65毫米;最大1.2毫米
储存于原装容器中，在干燥的氮气，
< 6个月在23 ℃的环境温度下
m
mm
度
mm
2
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7262 -M ，第2版， 2003年11月28日编辑
