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5STP 45Q2800
导通状态
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
I
2
t
马克斯。平均通态电流
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
5490 A
8625 A
75000 A
79000 A
28125千安
2
s
25900千安
2
s
V
T
V
T0
r
T
I
H
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
1.29 V
0.86 V
0.070 m
40-100毫安
20-75毫安
I
L
闭锁电流
100-500毫安
150-350毫安
tp
tp
tp
tp
I
T
I
T
T
j
T
j
T
j
T
j
=
=
=
=
=
=
10毫秒
8.3毫秒
10毫秒
8.3毫秒
6000 A
3000 - 9000 A
T
j
=
125°C
T
j
=
125°C
半正弦波,T
C
= 70°C
后激增:
V
D
= V
R
= 0V
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
开关
的di / dt
CRIT
对国家崛起的临界速度
当前
250 A / μs的
500 A / μs的
续。
60秒。
V
D
0.67V
DRM
I
TRM
=
I
FG
t
d
t
q
延迟时间
打开-O FF时间
3.0 s
400 s
V
D
= 0.4V
DRM
I
FG
=
=
T
j
= 125°C
3000 A F = 50赫兹
2.0一件T
r
= 0.5 s
2.0一件T
r
= 0.5 s
3000为T
j
= 125°C
200 V
-5 A / μs的
V
D
0.67V
DRM
I
TRM
=
dv
D
/ DT = 20V / μs的V
R
& GT ;
Q
rr
恢复电荷
最大
4200 μAs
6500 μAs
di
T
/ DT =
触发
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
V
FGM
I
FGM
V
RGM
P
G
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
最大栅极功率损耗
2.6 V
T
j
= 25°C
400毫安牛逼
j
= 25°C
0.3 V
10毫安
12 V
10 A
10 V
3W
V
D
V
D
= 0.4V
DRM
= 0.4V
DRM
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
2 6
文档。第5SYA1050-01 Sep.00

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