5STB 17N5200
导通状态
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
I
2
t
马克斯。平均通态
t
马克斯。 RMS通态电流
马克斯。峰值不重复
浪涌电流
极限载荷积分
1800 A
2830 A
29000 A
31000 A
4205千安
2
s
3990千安
2
s
V
T
V
T0
r
T
I
H
I
L
通态电压
阈值电压
斜率电阻
保持电流
1.68 V
1.02 V
0.320 m
50-250毫安
25-150毫安
闭锁电流
100-500毫安
50-300毫安
T
j
T
j
T
j
T
j
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
tp
tp
tp
tp
I
T
I
T
=
=
=
=
=
=
10 MS T处
j
= 125°C
8.3毫秒激增后：
10毫秒V
D
= V
R
= 0V
8.3毫秒
2000 A
1000 - 3000 A
T
j
= 125°C
半正弦波，T
C
= 70°C
开关
的di / dt
CRIT
对国家崛起的临界速度
当前
250 A / μs的
500 A / μs的
续。 F = 50 Hz的V
D
≤
0.67V
DRM
, T
j
= 125°C
60秒。
F = 50Hz的
V
D
= 0.4V
DRM
I
TRM
= 3000 A
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
I
FG
= 2 A，T
r
= 0.5 s
t
d
t
q
Q
rr
延迟时间
打开-O FF时间
≤
≤
民
最大
3.0 s
700 s
V
D
≤
0.67V
DRM
I
TRM
3000 = A，T
j
= 125°C
dv
D
/ DT = 20V / μs的V
R
> 200伏，二
T
/ DT = -1.5 A / μs的
恢复电荷
4000 μAs
5200 μAs
触发
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
V
FGM
I
FGM
V
RGM
P
G
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
门非触发电流
峰值正向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值反向栅极电压
最大栅极功率损耗
≤
≤
≥
≥
2.6 V
400毫安
0.3 V
10毫安
12 V
10 A
10 V
3W
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
V
D
= 0.4V
RM
V
D
= 0.4V
RM
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
文档。第5SYA1036-03 9月1日
第2 6
