数据表
互补输出霍尔效应锁存
电气特性
(T
A
=25
o
C，V
CC
= 14V ，除非另有规定）
参数
输出饱和电压
输出漏电流
电源电流
输出上升时间
输出下降时间
切换时间差
输出齐纳击穿电压
热保护温度
热保护滞后
符号
V
SAT
I
OL
I
CC
tr
tf
t
V
Z
TSD
Tsd
测试条件
V
CC
= 3.5V ，我
O
=100mA
I
O
=350mA
V
CE
=16V
V
CC
= 16V ，输出开路
R
L
=820, C
L
=20pF
R
L
=820, C
L
=20pF
R
L
=820, C
L
=20pF
民
典型值
0.3
0.35
0.1
12
3.0
0.3
3.0
55
178
40
0.6
10
16
10
1.5
10
最大
单位
V
V
A
mA
s
s
s
V
o
AH276
C
o
C
磁特性
(T
A
=25
o
C)
参数
工作点
符号
B
OP
GRADE
A
B
C
A
释放点
B
RP
B
C
迟滞
B
HYS
V
DO
(V)
民
10
5
典型值
最大
50
70
100
单位
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
-50
-70
-100
75
-10
-5
高斯
关闭状态
高
关
B
HYS
打开
V
SAT
导通状态
N
B
RP
0
B
OP
低
S
磁通密度（高斯）
2007年4月修订版1.2
5
BCD半导体制造有限公司
