SMS03C通SMS24C
4号线双向TVSarray
斯科茨代尔区划
产品预览
描述
这6针4线双向阵列被设计为在应用中使用
保护是需要在免受瞬态电压的电路板级
静电放电（ ESD）由IEC 61000-4-2中定义，电快速
根据IEC 61000-4-4瞬变（ EFT ）和次级照明效果。
这些阵列被用来保护利用销（ 1,3,4,6 ）与4-离散线
通用（引脚5）的配置。直通SMS24C产品SMS03C提供
静电等引起的电压板级电涌保护了
可能会损坏敏感电路。
这些瞬态电压抑制器（ TVS ）二极管阵列保护3.0 / 3.3伏
组件如DRAM的SRAM的CMOS ， HCMOS ， HSIC和低电压
接口高达24伏。 B
的物理尺寸，重量和保护ecause
功能，这款产品非常适合使用，但不限于小型化
电子设备，如手持仪器，计算机，计算机
外围设备和手机。
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Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
T·V·S阵列
性S E R I （E S）
W W W .
Microsemi的
.
COM
应用
EIA- RS232的数据传输速率
19.6kbs
EIA- RS422的数据传输速率
10Mbs
EIA- RS423的数据传输速率
100kbs
特点
保护3.0 / 3.3上升到24伏组件
保护4双向线路
提供电隔离保护
SOT 23-6L封装
包装
每EIA标准481磁带&卷轴
每7英寸3000件
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
峰值脉冲功率200瓦（ 8/20微秒图1 ）
SOT 23-6L封装
机械
成型SOT23-6L表面贴装
重0.014克（近似值）
车身标有设备编号
引脚定义一个斑点在顶部封装的
每行的电气特性@ 25 ° C除非另有说明
站
关闭
电压
V
WM
伏
最大
SMS03C
SMS05C
SMS12C
SMS15C
SMS24C
S3C
S5C
S12C
S15C
S24C
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
7.5
11
21
26
45
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
11.5
14.5
27
33
56*
待机
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
100
10
1
1
1
电容
中（f = 1 MHz）的
@0V
C
pF
典型值
100
75
35
30
20
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-3
3
10
13
30
SMS03C通SMS24C
部分
数
设备
记号
*钳位电压@ 3.6安培
注：根据其关断电压V瞬态电压抑制器（ TVS ）产品通常选择
WM
。产品选择
电压应该等于或大于该电路的连续峰值工作电压进行保护。
版权
2000
MSC1685.PDF 02-22 2000 REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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