SMP50 / SMTPA / TPA
图8 ：热阻抗的变化
结点到环境与脉冲持续时间
（印刷电路板FR4， SCU = 35微米，
推荐焊盘布局）
Z
号（j -a）的
（ ° C / W）
1E+2
2.5
T
j
=25°C
F=1MHz
V
RMS
=1V
图9 ：结的相对变化
电容与反向电压应用
（典型值）
C [ V
R
] / C [V
R
=50V]
2.0
SMTPA / TPA
1E+1
1.5
SMP50
1.0
1E+0
0.5
t
p
(s)
1E-1
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
0.0
1
2
5
10
V
R
(V)
20
50
100
300
图10：对动态I测试电路1
BO
和V
BO
参数
100 V / μs的， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 50 A
2
45
66
470
83
0.36 nF的
46 H
U
10 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
1千伏/微秒， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 10 A
26 H
250
12
47
46 H
U
60 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
5/10
