电气特性
STP8NK80Z - STP8NK80ZFP - STW8NK80Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.1 A
3
3.75
1.3
分钟。
800
1
50
± 10
4.5
1.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.1 A
分钟。
典型值。
5.2
1320
143
27
58
17
30
48
28
46
8.5
25
9
9
18
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
ns
ns
ns
输入电容
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
输出电容
反向传输电容V
GS
= 0
V
DS
=0V, V
DS
= 0V至640V
V
DD
= 400 V，I
D
= 3.1 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图21）
C
OSS EQ 。 （2）
等效输出
电容
t
D（上）
t
r
t
R（ OFF）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
R（ Voff时）
t
r
t
c
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
V
DD
= 640 V，I
D
= 6.2 A,
V
GS
= 10 V
V
DD
= 640 V，I
D
= 6.2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图23）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
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