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产品数据表
AAT4280A
智能切换
TM
应用信息
输入电容
一个1μF或更大的电容，通常推荐
C
IN
在大多数应用中。 A C
IN
不需要电容
对于基本的操作;然而，C
IN
是在预防有用
加载而影响上游电路瞬变。
IN
应尽可能靠近器件V
IN
引脚作为practi-
美云成为可能。陶瓷，钽和铝电 -
裂解电容器可以选择对C
IN
。没有
具体电容的ESR要求对C
IN
;然而，对于
更高的电流操作，陶瓷电容recom-
谁料对于C
IN
由于其在tan-固有的能力
talum电容承受的输入浪涌电流从
低阻抗源，如电池的便携式
设备。
压摆率受控负载开关
V
IN
对于延长的时间段，则建议
把从V肖特基二极管
IN
到V
OUT
（连接
阴极V
IN
和阳极到V
OUT
） 。肖特基二极管
正向电压应小于0.45V 。
散热考虑和
高输出电流的应用
该AAT4280A旨在提供一个连续输出
负载电流。最大的极限特性
安全工作输出负载电流封装功率显示
sipation 。为了获得较高的工作电流，
细心的设备布局和电路的运行条件
需要被考虑在内。
下面的讨论将假定负载开关是
安装在利用最小的印刷电路板
推荐的足迹，在布局声明
该数据表的注意事项部分。
在任何给定的环境温度（T
A
），最大
封装功耗可以通过跟着确定
以下公式：
输出电容
对于正确的转换操作，一个0.1μF的电容或更大
V之间
OUT
并建议GND 。输出
电容器有没有具体的电容式或ESR要求一
换货。如果需要的话，C
OUT
没有限制，可增至
适应无任何负载瞬态条件
该器件的导通压摆率时间产生不利影响。
P
D（最大）
=
[T
J（下最大）
- T
A
]
θ
JA
使能功能
该AAT4280A带有一个使能/禁用功能。这
销（ ON / OFF）是与两个TTL或CMOS逻辑兼容。
反向输出至输入
电压条件及保护
正常工作条件下，寄生二极管的存在
负载开关的输出端和输入端之间。输入
电压应该始终保持大于输出负载
电压，保持在内部对位的一个反向偏置
SITIC二极管。条件下V
OUT
可能超过V
IN
应
因为这可以避免将正向偏置内部准
SITIC二极管和允许过大的电流流入伏
OUT
针并可能损坏负载开关。
在应用中，有V的可能性
OUT
超过V
IN
的时间在正常短暂
操作时，使用较大的值C的
IN
电容
强烈推荐。的C值越大
IN
对于
到C
OUT
会影响较慢
IN
在关断模式衰变率
下来，从而防止V
OUT
超出V
IN
。在应用程序
阳离子哪里有V的更大的危险
OUT
超额
常量的AAT4280A是最大结温
perature ，T
J（下最大）
= 125 ℃，封装的热电阻
tance ，
Θ
JA
= 120 ° C / W 。最坏的情况是calcu-
迟来在最高工作温度，其中T
A
=
85°C 。典型的条件下正常计算
环境条件，其中T
A
= 25°C 。在T
A
= 85°C,
P
D（最大）
= 333mW 。在T
A
= 25 ° C，P
D（最大）
= 833mW 。
最大连续输出电流为AAT4280A
是封装的功率耗散和r的函数
DS
在MOSFET在T的
J（下最大）
。的最大R
DS
MOSFET的
在T
J（下最大）
通过提高上限室计算
温度
DS
上述R
DS
温度系数。该
温度系数（T
C
）为2800ppm / ℃。因此，
最大
DS
125°C = R
DS
25 °C· （ 1 + T
C
·
ΔT)
最大
DS
125°C = 120MΩ · （ 1 + 0.0028 ·
（ 125°C - 25 ° C） ） = 154mΩ
为了获得最大的电流，请参考下面的等式：
I
输出（最大）
＆ LT ;
P
D（最大）
R
DS
4280A.2008.04.1.5
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