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AAT4280A
压摆率受控负载开关
sipation和R用
DS
在MOSFET在T的
J（下最大）
.
的最大R
DS
在MOSFET在T的
J（下最大）
是校准 -
通过提高上限房间温度culated
TURE
DS
上述R
DS
温度系数。该
温度系数（T
C
）为2800ppm / ℃。
因此，
最大
DS
125°C = R
DS
25°C
×
(1 + T
C
× T)
最大
DS
125°C = 120MΩ
×
(1 + 0.0028
×
（ 125°C - 25 ° C） ） = 154mΩ
为了获得最大的电流，请参考下面的等式：
P
D（最大）
R
DS
负载电流为100mA时为4.61ms的87.5 ％
期和2A期间的12.5％。自从
电气特性不报
DS （ MAX）
为
4V操作时，它必须计算大约
通过咨询R的图
DS （ ON）
与V
IN
。第r
DS
报道为5V可以通过可见的比例缩放
图表导出第r
DS
为4V V
IN
: 120m
×
87mΩ / 80mΩ = 130mΩ 。德额定温度：
130mΩ ×（1 + 0.0028
×
（ 125 ° C -25 ° C） ） = 166mΩ 。
功耗为100mA的电流是calculat-
编如下：
P
D（最大）
= I
OUT
2
×
R
DS
P
D(100mA)
= （ 100毫安）
2
×
166m
P
D(100mA)
= 1.66mW
P
D(87.5%D/C)
= ％ DC
×
P
D(100mA)
P
D(87.5%D/C)
= 0.875
×
1.66mW
P
D(87.5%D/C)
= 1.45mW
在87.5 ％的功耗为100mA的电流
占空比为1.45mW 。现在的功率耗散
在工作周期的剩余的12.5％ ，在图2A是
计算：
P
D（最大）
= I
OUT
2
×
R
DS
P
D(2A)
= (2A)
2
×
166m
P
D(2A)
= 664mW
P
D(12.5%D/C)
= ％ DC
×
P
D(2A)
P
D(12.5%D/C)
= 0.125
×
664mW
P
D(12.5%D/C)
= 83mW
12.5 ％的关税的功耗为2A负载
周期为83mW 。最后，两个电源数字
总结，以确定真正的总功率耗散
在不同的负载下化：
P
D（ TOTAL ）
= P
D(100mA)
+ P
D(2A)
P
D（ TOTAL ）
= 1.45mW + 83mW
P
D（ TOTAL ）
= 84.5mW
最大功耗为AAT4280A
在85 ℃的环境温度下操作是
333mW 。在本实施例的设备将具有一
84.5mW的总功耗。这是很好
内部热限制的安全运行
装置;事实上，在85℃时， AAT4280A将处理
一2A脉冲为高达50％的占空比。在较低的雄心
耳鼻喉科的温度下，占空比可以进一步
增加。
I
输出（最大）
＆ LT ;
例如，若V
IN
= 5V ，R
DS （ MAX）
= 154mΩ和T
A
= 25 ° C，I
输出（最大）
= 2.3A 。如果输出负载电流
均超过2.3A或者，如果环境温度
要增加，内部芯片温度
会增加，器件会被损坏。
更高的峰值电流可以用得到
AAT4280A 。为了实现这一点，该装置的热
电阻必须通过增加热量，可减少
下沉区或通过操作所述负载开关在一个免税
循环方式。
高峰值输出电流的应用
有些应用需要负载开关也能操作
吃在连续额定电流值与短
持续时间，高电流峰值。占空比为
两个输出电流电平必须考虑到
帐户。要做到这一点，首先计算功率耗散
而不能使在标称连续电流电平，并
然后在附加的功率损耗是由于加
短持续时间的大电流峰值通过缩放
占空比。
例如，使用一个4V系统的AAT4280A
工作在连续100mA的电流的电流电平
并具有短2A的电流峰值，如在GSM应用程序
阳离子。电流峰值出现的576μs一出
4.61ms周期。
首先，当前的占空比的计算方法：
％峰值占空比： X / 100 = 576μs / 4.61ms
％峰值占空比= 12.5 ％
4280A.2005.11.1.3
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