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288MB : X9 , X18 , X36 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL , CIO , RLDRAM II
操作
在复用的地址模式配置表
在复用地址模式下,读取和写入延迟增加了一个时钟
周期。然而, RLDRAM周期时间保持相同,在非复用时
地址模式。
表22:
在复用模式下的周期时间和读/写延迟配置表
CON组fi guration
参数
RC
t
RL
t
WL
有效频率范围
注意事项:
t
1
1
4
5
6
200–175
1. BL = 8不可用。
2
6
7
8
300–175
3
8
9
10
400–175
单位
t
CK
t
CK
t
CK
兆赫
刷新命令在复用地址模式
类似当复用地址模式, AREF是在执行其他命令
时钟上升沿下面就其发出的命令之一。然而,由于
只需要AREF的存储单元地址,下一个命令上的应用
下面的时钟。在AREF命令和任何其它指令的操作是表象
第61页上sented如图38 。
图38:
T0
CK #
CK
命令
地址
1
AC
1
AC
BURST刷新操作与复用的寻址
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
NOP
AREF
AREF
AREF
AREF
AREF
AREF
AREF
AREF
Ax
Ay
Ax
Ay
银行
银行
n
BANK 0
银行1
2银行
3银行
4银行
5银行
银行
6
7银行
银行
n
CARE
注意事项:
1.任何命令。
2.银行
n
被选择为使得
t
RC满足。
PDF : 09005aef80a41b46 /来源: 09005aef809f284b
288Mb_RLDRAM_II_CIO.Core.fm - 修订版A 9/07 EN
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