288MB ： X9 ， X18 ， X36 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
， HSTL ， CIO ， RLDRAM II
COMMANDS
COMMANDS
下表提供了RLDRAM的有效命令的说明。所有
输入国家或者未显示的序列是非法或保留。所有命令和地址
输入必须满足建立和保持周围CK的上升沿时间。
表16：
命令
DSEL / NOP
命令的说明
描述
中的NOP指令用于执行任何操作的RLDRAM ，其基本上
取消选择的芯片。使用NOP指令，以防止不必要的命令被
在空闲或等待状态注册。操作已在进行中不受影响。产量
值取决于命令历史记录。
模式寄存器经由地址输入A0 -A17设置。参见图11第32页上的进一步
信息。该MRS命令只能发出时，所有银行都闲置，无爆发是
进行中。
READ命令用于启动一个突发的读访问银行。在BA0-价值
BA2输入选择银行，并提供了对输入的地址A0 -一个选择数据
银行内部的位置。
WRITE命令用于启动突发写入访问一个银行。在BA0-价值
BA2输入选择银行，并提供了对输入的地址A0 -一个选择数据
银行内部的位置。出现在DQ输入数据被写入到存储器阵列
主体到DM输入逻辑电平出现一致的数据。如果DM信号是
注册低电平，对应的数据将被写入到存储器中。如果DM信号是
注册高电平时，相应的数据输入将被忽略（即，这部分数据的
字不会写） 。
在AREF命令的RLDRAM的正常操作期间用于刷新存储器
一家银行的内容。该命令是非持久性的，因此它必须在每个时间的刷新是发出
所需。在BA0 - BA2输入的值选择银行。刷新地址是
通过内部刷新控制器产生，有效地使每个地址位是“不要
在AREF命令期间照顾“ 。请参阅第39页上的“自动刷新（ AREF ） ”的更多细节。
注意事项：
笔记
1
太太
读
2
写
2
AREF
1.当芯片被取消选定时，产生内部的NOP指令而没有命令
接受的。
2.
n
= 20.
表17 ：
手术
命令表
注意事项1-2适用于整个表
CODE
DSEL / NOP
太太
读
写
AREF
CS ＃
H
L
L
L
L
WE＃
X
L
H
L
H
楼盘编号
X
L
H
H
L
A0–An
2
X
操作码
A
A
X
BA0–BA2
X
X
BA
BA
BA
笔记
3
4
4
设备取消选择/无操作
太太
读
写
自动刷新
注意事项：
1.
2.
3.
4.
X = “无关; ”H =逻辑高电平; L =逻辑低电平; A =有效的地址; BA =有效的银行地址。
n
= 20.
唯一的A0 -A17被用于MRS命令。
地址宽度变化与突发长度;请参阅表19的详细信息，第35页。
PDF ： 09005aef80a41b46 /来源： 09005aef809f284b
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