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288MB : X9 , X18 , X36 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL , CIO , RLDRAM II
温度和热阻抗
温度和热阻抗
至关重要的是,该RLDRAM器件的温度规格,如表14所示,
被保持,以保证结温是在适当的操作
范围以满足数据手册中的规范。在保持适当的一个重要步骤
结温是正确使用设备的热阻抗。热
阻抗列出可用的软件包。
不正确地使用热阻抗可以产生显著的错误。了解美光技
nical笔记
TN- 00-08 , “热应用”
之前使用的热阻抗
表14列出了预计将持续数年,并要求灵活性设计
相容性使用多个DRAM芯片缩小,可以考虑使用最终目标θ值(而
比现有的值),以占从模具尺寸增加的热阻抗
减少。
该RLDRAM设备的安全结温范围内可保持在经t
C
规格不超标。在应用中,设备的环境温度
可能需要以满足的情况下过高,使用强制空气和/或散热装置的
温度指标。
表14:
参数
储存温度
可靠性结温
工作结温
工作温度
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温度限制
符号
T
英镑
T
J
T
J
T
C
–55
0
–40
0
–40
最大
+150
+110
+110
+100
+100
+95
+95
单位
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
笔记
1
2
2
3
3
4, 5
4, 5, 6
注意事项:
1. MAX储存箱的温度;牛逼
英镑
中测量包的中心,如图
图10 29,这种情况下的限制页上被允许在简要地超过
包回流,在美光的技术说明指出,
TN-00-15.
2.温度高于110 ℃,可能会造成永久性损坏设备。这是一个
是不是值仅为设备的功能操作或高于此暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性
零件。
3.结温取决于封装类型,周期时间,负荷,环境温度
TURE ,和气流。
4.最大工作温度;牛逼
C
中测量包的中心,如图
图10第29页。
如果设备超过了最大的T 5,设备的功能,不能保证
C
在操作过程中。
六,温度规格必须得到满足。
PDF : 09005aef80a41b46 /来源: 09005aef809f284b
288Mb_RLDRAM_II_CIO_D2.fm - 冯M 9/07 EN
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