SN75374
翻两番MOSFET驱动器
SLRS028A - 1988年9月 - 修订2004年11月
热信息
功率耗散注意事项（续）
P
L
, P
H
, P
LH
和P
HL
是功耗的各个瞬时水平，而C是负载电容。
V
C
是在由方程中所示的充电周期在负载电容中的电压：
V
C
= V
OH
V
OL
P
S（ AV）在
可以忽略不计进行功耗计算在低频。
在下面的功率计算，所有四个通道都在相同的条件下操作的： F = 0.2兆赫
V
OH
= 19.9 V和V
OL
= 0.15 V与V
CC1
= 5 V, V
CC2
= 20 V, V
CC3
= 24 V, V
C
= 19.75 V， C = 1000 pF的，而
占空比= 60％ 。在0.2兆赫对于C
L
< 2000 PF， P
S（ AV）在
是可以忽略的，并且可以被忽略。当输出电压
是低的，我
CC2
是可以忽略的，并且可以被忽略。
在每个通道的基础上使用数据表值，
P
DC （ AV ）
+
5 V 4毫安
)
20 V -2.2毫安
)
24 V 2.2毫安
4
4
4
5 V 31毫安
)
20 V 0毫安
)
24 V 16毫安
4
4
4
P
DC （ AV ）
= 58.2每通道毫瓦
在负载电容的充电时间的功率是
P
C（ AV ）
= （ 1000 pF的） （ 19.75 V）
2
（ 0.2兆赫）=每通道78 mW的
总功率为每个驱动程序是：
P
T（ AV ）
= 58.2 MW + 78 MW = 136.2毫瓦
总包功率为：
P
T（ AV ）
= （ 136.2 ）（ 4）= 544.8毫瓦
0.6
)
0.4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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