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功能性器件操作
逻辑命令和寄存器
中断寄存器（ INTR ）
表40
通过
42
包含了中断寄存器的信息。该INTR寄存器允许屏蔽或使能中断
源。读操作确定中断源。
表42
提供状态位的信息。该INTR的状态位
登记内容是IOR的副本， CAN ， TIM ，和LPC寄存器状态的内容。要清除中断寄存器的位， IOR ，
CAN ， TIM ，和/或LPC寄存器必须被清除（读寄存器）和恢复情况必须发生。错误位锁存
在可以注册和IOR寄存器。
表40.中断寄存器
INTR
读/写
W
$111b
R
复位值
重设条件
（写）
(65)
–
–
VSUPLOW
D3
VSUPLOW
D2
HSOT-V2LOW
(64)
D1
V1TEMP
V1TEMP
D0
CANF
CANF
0
上电复位， RST
HSOT
0
上电复位， RST
0
上电复位， RST
0
上电复位， RST
笔记
64.如果只HSOT - V2LOW中断被选中（只D2位设置在INTR寄存器） ，读INTR寄存器的位D2导致两种可能性：
1位D2 = 1 ：中断源HSOT 。
2位D2 = 0 ：中断源V2LOW 。
HSOT和V2LOW位状态都可以在IOR寄存器。
65.请参阅表13页
42,
为复位状态的定义。
表41.中断控制寄存器的
名字
CANF
VDDTEMP
HSOT - V2LOW
VSUPLOW
屏蔽位CAN故障。
屏蔽位为VDD介质温度
（预警） 。
屏蔽位HS过热和V
2LTH
< 4.0 V.
屏蔽位为V
BF （ EW ）
< 5.8 V.
描述
当屏蔽位被置位， INT引脚变为低电平，如果在适当的条件出现。当从停止模式唤醒的条件
由于过电流检测（I
DDS-WU1
还是我
DDS-WU2
） ，一个INT脉冲产生;然而， INTR寄存器的内容保持在0000
（未位设置成INTR寄存器） 。
表42.中断寄存器的状态位
名字
VSUPLOW
逻辑
0
1
0
1
0
1
0
1
无V
BF （ EW ）
< 5.8 V.
V
BF （ EW ）
< 5.8 V.
没有HS过热。
HS过热。
无VDD介质温度（预警） 。
VDD介质温度（预警） 。
NO能衰竭。
CAN失败。
描述
HSOT
VDDTEMP
CANF
33742
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
51
