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HY64SD16162B系列
1M ×16位低功耗低1T / 1C SRAM
描述
该HY64SD16162B是16Mbit的1T / 1C SRAM
通过高速运转和超低特色
功耗。该HY64SD16162B采用
一个晶体管存储单元和被组织成
1,048,576字由16位。该HY64SD16162B
操作温度的延伸范围和
支持宽工作电压范围。该
HY64SD16162B还支持深度关电
关闭模式的超低待机电流。该
HY64SD16162B提供高密度低
功耗SRAM能力，高速低功耗
系统。
特点
CMOS工艺技术
1M ×16位组织
TTL兼容和三态输出
深度掉电：存储单元数据无效举行
标准引脚配置： 48 - FBGA （ 6mmX8mm ）
数据屏蔽功能由/ LB ， / UB
独立的I / O电源： VDDQ
产品系列
产品编号
HY64SD16162B-DF85E
HY64SD16162B-DF85I
电压[V]
VDD / VDDQ
1.8/1.8
1.8/1.8
模式
1CS与/ UB ， / LB ： TCS
1
1CS与/ UB ， / LB ： TCS
1
速度
(I
SB1
马克斯） （我
DPD
马克斯） （我
CC2
马克斯）
tRC的[ NS ]
75
A
75
A
2
A
2
A
20
mA
20
mA
85
85
功耗
温度。
[°C]
-25~85
-40~85
注1. TCS - / UB ， / LB =高：芯片取消。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
/磅
IO9
/ OE
/ UB
A0
A3
A5
A17
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
/CS1
IO2
IO4
IO5
IO6
/ WE
A11
CS2
IO1
IO3
VDD
VSS
IO7
IO8
NC
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
/磅
/ UB
A19
A0
框图
ROW
解码器
IO1
SENSE AMP
COLUMN
解码器
PRE解码器
IO10 IO11
VSS
IO12
IO8
IO9
添加输入
卜FF器
数据I / O
卜FF器
VDDQ IO13 DNU
IO15 IO14
IO16
A18
A19
A8
A14
A12
A9
存储阵列
1,024K ×16
块
解码器
写入驱动器
IO16
控制
逻辑
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/磅
/ UB
DNU
NC
引脚功能
芯片选择
深度掉电
写使能
低字节（ I / O1 I / O8 ）
高字节（ I / O9 I / O16 ）
不要使用
无连接
引脚名称
/ OE
IO1~IO8
IO9~IO16
A0~A19
VDD
VDDQ
VSS
引脚功能
OUTPUT ENABLE
较低的数据输入/输出
上面的数据输入/输出
地址输入
电源的内部电路
电源的I / O
地
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。 Hynix半导体公司不
假定用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版1.0 / 12 。 2002年
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