19-3502 ;第5版; 5/07

125V / 2A ，高速，

半桥MOSFET驱动器

概述

该MAX5062 / MAX5063 / MAX5064的高频，

125V半桥， n沟道MOSFET驱动器驱动高

和低侧MOSFET中的高电压应用。

这些驱动器可以独立控制，并且它们的

典型值为35ns的传播延迟，从输入到输出，是

在3纳秒（典型值）相匹配。高电压操作

带之间非常低的和匹配的传播延迟

驱动程序和高源出/吸入电流能力的

散热增强型封装，使这些器件suit-

能够为高功率，高频率的电信电源

转换器。在125V最大输入电压范围亲

志愿组织充分的裕量的100V输入瞬态

电信标准的要求。可靠的片上

自举二极管连接V之间

DD

和BST消除

止数据的需要外部分立二极管。

该MAX5062A / C与MAX5063A / C提供两个nonin-

verting司机（见

选型指南） 。

该

MAX5062B / D与MAX5063B / D提供一个同相

高侧驱动器和一个反相低侧驱动器。该

MAX5064A / B提供每个驱动程序，可以将两个输入

无论是反相或同相。该MAX5062A / B / C / D

而MAX5064A功能的CMOS （V

DD

/ 2 ）逻辑输入。

该MAX5063A / B / C / D和MAX5064B功能TTL

逻辑输入。该MAX5064A / B包括一个突破直至─

进行调整输入，设置之间的死区时间

司机16ns至95ns 。该驱动程序可在

工业标准的8引脚SO封装和引脚的配置

化，并采用热增强型8引脚SO和12引脚

（采用4mm x 4mm ）薄型QFN封装。所有器件均工作

在-40° C至+ 125°C汽车级温度范围。

特点

HIP2100 / HIP2101引脚兼容（ MAX5062A /

MAX5063A)

高达125V的输入操作

8V至12.6V V

DD

输入电压范围

2A峰值源和灌电流驱动能力

35ns的典型传播延迟

保证为8ns传播延迟匹配

驱动器之间

可编程的突破之前，进行时序

(MAX5064)

高达1MHz的组合开关频率，而

驱动100nC栅极电荷（ MAX5064 ）

可在CMOS （V

DD

/ 2 ）或TTL逻辑电平

与滞后输入

截至输入的15V逻辑输入独立

电压

2.5pF的低输入电容

关断瞬间司机在故障或PWM

起止同步（ MAX5064 ）

低200μA电源电流

可用的组合版本

同相和反相驱动器（ MAX5062B / D

和MAX5063B / D ）

采用8引脚SO ，热增强型SO ，

和12引脚薄型QFN封装

MAX5062/MAX5063/MAX5064

订购信息

部分

温度范围

PIN的

顶部

PKG

包装标志代码

—

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—

—

S8-5

S8-5

S8E-14

S8E-14

应用

电信半桥电源

双开关正激转换器

全桥转换器

有源钳位正激转换器

电源模块

电机控制

MAX5062AASA

-40 ° C至+ 125°C 8 SO

MAX5062BASA -40 ° C至+ 125°C 8 SO

MAX5062CASA -40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *

MAX5062DASA -40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *

* EP

=裸露焊盘。

器件采用含铅提供无铅封装。

用“+ T”订货时替换“-T ”指定无铅。

订购信息不断在数据表的末尾。

选择指南

部分

MAX5062AASA

MAX5062BASA

MAX5062CASA

MAX5062DASA

高侧驱动器

同相

同相

同相

同相

低侧驱动器

同相

反相

同相

反相

逻辑电平

CMOS （V

DD

/ 2)

CMOS （V

DD

/ 2)

CMOS （V

DD

/ 2)

CMOS （V

DD

/ 2)

引脚兼容

HIP 2100IB

—

—

—

选型指南继续在数据表的末尾。

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