TPA3121D2
SLOS537 - MAY 2008........................................................................................................................................................................................................
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0
10
电源抑制比 - 分贝
0
V
CC
= 24 V
V
O（纹波）
= 0.2 V
PP
R
L
= 8
（ SE ）
增益= 20分贝
10
电源抑制比 - 分贝
20
30
40
50
60
70
80
90
100
20
20
30
40
50
60
70
80
90
100
20
V
CC
= 24 V
V
O（纹波）
= 0.2 V
PP
R
L
= 8
（ SE ）
增益= 20分贝
100
1k
的F - 频率 - 赫兹
10k 20k
G026
100
1k
的F - 频率 - 赫兹
10k 20k
G027
图29. PSRR没有AVCC过滤器
VCC
R8
图30. PSRR随着AVCC过滤器
L2
33
m
F
R7
C19
1
C17
470
m
F
关闭
MUTE（静音）
C3
1.0
m
F
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
+
+
C7
0.1
m
F
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
220
W
2
热
L1
33
m
F
0.1
m
F
4.75千瓦
0.22
m
F
25
C20
C4
1.0
m
F
PVCCL1
PVSSL1
SDZ
PVSSL2
PVCCL2
OUTL
MUTE（静音）
BSL
LIN
AVCC1
凛
TPA3121D2
AVCC2
BYP
GAIN0
GND1
GAIN1
GND2
BSR
PVCCR1
OUTR
VCLAMP
PVSSR1
PVCCR2
PVSSR2
C15
0.22
m
F
R6
C12
0.22
m
F
4.75千瓦
0.22
m
F
1
2
C1
C8 C2
+
+
1.0
m
F
1.0
m
F
2
470
m
F
2
470
m
F
图31.应用原理图与220 Ω / 220μF的滤波AVCC
BSN和BSP电容
的半H桥输出级只使用NMOS晶体管。因此，它们需要自举电容的
每个输出的高压侧正确地打开。一个220 nF的陶瓷电容，额定电流至少达到25 V ，必须
从每个输出到其相应的自举输入端连接。具体而言， 1 220 nF的电容必须
从连接到LOUT BSL ，和一个220 nF的电容必须从ROUT连接到BSR 。
连接之间的BSX引脚及其相应的输出功能作为一个浮动的自举电容
电源为高侧的N沟道功率MOSFET的栅极驱动电路。在每个高侧开关
周期时，自举电容保持栅极 - 源极电压足够高，以保持高侧MOSFET
接通。
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产品文件夹链接（ S） ：
TPA3121D2
220
m
F
0.1
m
F
C13
C14
C10
470
m
F
C5
C6
1
1
2008 ，德州仪器
