CC1150
6
RF发射第
民
典型值
待定
10
最大
单位
DBM
条件/注意
按照CC1150EM参考设计
输出功率可编程，并且全系列可用
在所有频带。
通过Chipcon公司引用传递到50Ω的单端负载
射频匹配网络。
输出功率，
最低设置
30
DBM
输出功率可编程，并且全系列可用
在所有频带。
通过Chipcon公司引用传递到50Ω的单端负载
射频匹配网络。
杂散辐射
和谐波，
433/868MHz
36
54
47
DBM
DBM
DBM
为25MHz - 1GHz的
47-74 ， 87.5-118 ， 174-230 ， 470-862MHz
的1800MHz - 1900MHz的（在欧洲限制频带）中，当
工作频率低于900MHz的（2
nd
谐波不能
在欧洲使用时落在该频带内）
否则1GHz以上
<200μV / m，在低于960MHz的3米。
<500μV /米3米以上的960MHz的。
2
nd
, 3
rd
和4
th
当输出功率是最大的高次谐波
为6mV / M为3米。 （ -19.6dBm EIRP ）
5
th
谐波
2
nd
谐波
3
rd
, 4
th
和5
th
谐波
TC = 25 ℃， VDD = 3.0V ， + 10dBm的，如果没有其他说明。测量Chipconís CC1150EM参考设计。
参数
差分负载
阻抗
输出功率，
最高设置
30
伪
排放量，
315/915MHz
-49.2
-41.2
-20
DBM
DBM
EIRP
DBM
EIRP
dBc的
谐波
315MHz
-41.2
谐波
915MHz
-20
-41.2
DBM
dBc的
DBM
表5 ： RF发射参数
7
晶体振荡器
民
26
典型值
26
±40
最大
27
单位
兆赫
PPM
这是总公差包括：a）初始容差，B ）老化
和c）的温度依赖性。
可接受的水晶宽容取决于RF频率和
信道间隔/带宽。
条件/注意
TC = 25°C @ VDD = 3.0V，如果没有其他说明。
参数
晶振频率
公差
ESR
启动时间
300
100
s
测量Chipconís CC1150EM参考设计。这
参数在很大程度上依赖于晶体。
表6 ：晶体振荡器参数
初步数据表（版本1.0 ）。
SWRS037
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