初步数据表号PD60034 -J
IR2151
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
欠压锁定
可编程振荡器频率
（注：对于新的设计中，我们
推荐IR的新产品IR2153和IR21531 ）
自振荡半桥驱动器
产品概述
V
OFFSET
占空比
I
O
+/-
V
OUT
死区时间（典型值）。
600V最大。
50%
为100mA / 210毫安
10 - 20V
1.2 s
f
=
匹配的传播延迟为两个通道
在相位为R低侧输出
T
1
1.4
×
(R
T
+
75
)
×
C
T
描述
的IR2151是一种高电压，高转速，自骨质
cillating功率MOSFET和IGBT驱动器与两个
高，低侧参考输出通道。亲
专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术
使坚固耐用的单片式结构。前面
高端功能的可编程振荡器，它是西米
LAR以555定时器。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级和一个内部的死区时间
专为最小驱动器跨导。 Propa-
gation延迟为两个信道相匹配SIM-
在占空比为50％的应用程序化了的使用。浮动
信道可被用于驱动N沟道功率
MOSFET或IGBT在高侧配置中
操作过的高电压轨电压高达600伏。
套餐
8引脚PDIP
8引脚SOIC
典型连接
高达600V
V
CC
R
T
C
T
COM
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
（请参阅铅作业示意图正确的引脚配置）
1
