LNK362-364
条件
参数
OUTPUT （续）
击穿
电压
漏极供电
电压
OUTPUT ENABLE
延迟
输出禁用
建立时间
自动重启
ON- TIME
自动重启占空比
周期
t
EN
t
DST
t
AR
DC
AR
T
J
= 25 °C
见注我
LNK362
LNK363-364
参见图9
0.5
40
45
5
BV
DSS
V
BP
= 6.2 V, V
FB
≥ 2 V,
另请注意： H，T
J
= 25
°C
700
50
10
V
V
s
s
ms
%
符号
SOURCE = 0 V ;牛逼
J
= -40 125 ℃的
参见图7
（除非另有规定编）
民
典型值
最大
单位
注意事项：
A.总电流消耗是I的总和
S1
我
DSS
当反馈引脚电压≥2 V（ MOSFET不
开关）和I的总和
S2
我
DSS
当反馈引脚短路到源极（ MOSFET开关） 。
B由于输出MOSFET的开关，它是DIF连接邪教隔离开关电流从电源电流在
流失。另一种方法是测量旁路引脚电流为6 V.
C.见典型性能特性部分图14为旁路引脚启动时的充电波形。
D.该电流仅用于提供连接旁路和反馈之间的一个可选的光电耦合器
销，而不是任何其他外部电路。
E.关于其它di / dt值电流限制，请参考图13 。
F.此参数由设计保证。
G.此参数是通过表征法得到的。
H.击穿电压可针对最低BV检查
DSS
特定网络阳离子通过抬高漏极引脚电压
但不超过最小BV
DSS
.
一，自动重启动时间具有相同的温度特性振荡器（成反比
频率）。
10
B
11/05
