复合晶体管
XN04214
(XN4214)
NPN硅外延平面晶体管
单位：mm
对于开关/数字电路
0.65±0.15
+0.2
2.8
–0.3
1.5
–0.05
6
+0.25
0.65±0.15
1
0.95
2.9
–0.05
G
G
两个元素合并到一个包中。
（晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本。
1.9±0.1
+0.2
5
2
0.95
4
3
I
元素的基本型号
G
1.1
–0.1
0.4±0.2
I
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
评级
50
50
100
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：基地（ TR2）
3 ：发射器（ TR2）
集电极 - 基极电压
等级
集电极到发射极电压
of
元集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74
迷你型包装（ 6针）
标记符号：
BR
内部连接
6
Tr1
1
2
3
C
5
4
Tr2
I
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
R
1
R
1
/R
2
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
= 1k
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
–30%
0.17
150
10
0.21
+30%
0.25
4.9
0.2
80
0.25
V
V
V
兆赫
k
民
50
50
0.1
0.5
0.2
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
注）括号中的部分数字显示传统的零件编号。
0 0.05
UNR1214(UN1214)
×
2元
为0.1 0.3
0.8
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
1.45±0.1
I
特点
0.3
–0.05
0.5
–0.05
+0.1
+0.1
1
