LM95235
逻辑电气特性
笔记
（续）
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作时，直流和交流电气规格不适用
该装置超过其额定工作条件。
注2 ：
结点到环境时固定于印刷电路板用1盎司的热阻。箔及无气流：
θ
JA
为MSOP - 8封装= 210 ° C / W
注3 ：
人体模型（HBM ）是带电荷的100pF的电容放电到1.5kΩ电阻。机器模型（ MM ） ，是一个充电200 pF电容放电
直接向每个引脚。带电器件模型（CDM）的模拟针慢慢地取得充电量（如从一个设备中的自动向下滑动给料器
汇编程序），然后迅速被排出。
注4 ：
当输入电压（V
I
）在任何引脚超过电源（V
I
＆ LT ;
GND或V
I
＆ GT ;
V
DD
），电流在该引脚应限制在5毫安。
寄生部件和或ESD保护电路示于下面的LM95235芯片的引脚图。应注意不要正向偏置寄生
引脚2和3二极管超过50毫伏可能会损坏温度测量这样做。 SNP是指快回装置。
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
LABEL
V
DD
D+
D
T_CRIT
GND
OS/A0
SMBDAT
SMBCLK
电路
B
A
A
C
B
C
C
C
引脚的ESD保护电路结构
电路A
电路B
电路C
注5 ：
回流焊温度曲线都含有铅（Pb ），比那些不这样做的包不同。
注6 ：
标准被定在T
A
= 25 ，代表最可能的参数指标。
注7 ：
限制是保证国家的AOQL （平均出厂质量水平） 。
注8 ：
局部温度精度不包括自加热的影响。在温度由于自身发热的上升是内部功率的乘积
耗散的LM95235芯片和热阻。见（注2）的热阻，在自热的计算中使用。
注9 ：
该LM95235芯片的精度，使用在65纳米的工艺或MMBT3904 Intel处理器的典型热二极管时保证
二极管连接的晶体管，如远程二极管型号选择寄存器选择。请参阅性能的典型性能曲线采用英特尔处理器的90纳米
流程。
注10 ：
本说明书中仅被设置以指示如何经常温度数据被更新。 LM95235芯片可以在任何时候读取，而不考虑转换
国家（和将产生最后的转换结果） 。
注11 ：
静态电流不会大幅增加时， SMBus是积极的。
注12 ：
输出上升时间是从（Ⅴ测
IN(0)
最大 - 0.15V ）至（Ⅴ
IN(1)
分+ 0.15V ） 。
注13 ：
输出下降时间是从（Ⅴ测定
IN(1)
分+ 0.15V ）至（Ⅴ
IN(0)
马克斯 - 0.15V ） 。
注14 ：
抱着SMBDAT和/或SMBCLK线为低的时间间隔大于t时
TIMEOUT
将复位LM95235的SMBus的状态机，从而设置
SMBDAT和SMBCLK引脚为高阻抗状态。
7
www.national.com
