LM95234
针＃
1
2
3
4
5
6
7
LABEL
NC
V
DD
D4+
D3+
D-
D2+
D1+
电路
–
A
A
A
A
A
A
电路的引脚的ESD保护结构
电路A
8
9
10
11
12
13
14
GND
A0
TCRIT1
TCRIT2
SMBDAT
SMBCLK
TCRIT2
–
B
B
B
B
B
B
电路B
注3 ：
回流焊温度曲线都含有铅（Pb ），比那些不这样做的包不同。
注4 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。机器型号， 200 pF的直接排放到每一个引脚。带电器件模型
用（CDM）模拟一销缓缓采集电荷（例如从一个设备中的自动装配滑下馈线）然后迅速被排出。
注5 ：
热阻结到环境时，连接到每JEDEC标准JESD51-7 4层印刷电路板：
- 14引脚LLP = 90 ℃/ W（无散热孔，无气流）
- 14引脚LLP = 63 ℃/ W（ 1 ，通过热，无风）
- 14引脚LLP = 43 ℃/ W（ 6散热孔，无气流）
- 14引脚LLP = 31 ℃/ W（ 。 6散热通孔， LN 900英尺/分钟的气流）
请注意，所有引用的值包括标称值+ 15 ％的误差因素。
注6 ：
标准被定在T
A
= 25 ，代表最可能的参数指标。
注7 ：
限制是保证国家的AOQL （平均出厂质量水平） 。
注8 ：
局部温度精度不包括自加热的影响。在温度由于自身发热的上升是内部功率的乘积
耗散的LM95234和热阻。看
（注5 ）
为热阻，在自热的计算中使用。
注9 ：
该LM95234CISD的精度，使用上一个65纳米工艺的英特尔处理器的一个典型的热二极管或MMBT3904 diode-时保证
连接的晶体管，如远程二极管型号选择寄存器选择。请参阅使用英特尔处理器的性能典型性能曲线上的90纳米
流程。有关其他热二极管更多信息，请参阅应用
第3.1节
"Diode非ideality"或发送电子邮件至hardware.monitor.team@national.com 。
注10 ：
有一个SMBus通信的静态电流也不会大幅增加。
注11 ：
本说明书中仅被设置以指示如何经常温度数据被更新。该LM95234可以在任何时候读取，而不考虑转换
国家（和将产生最后的转换结果） 。
注12 ：
输出上升时间是从（Ⅴ测
IN(0)
最大 - 0.15V ）至（Ⅴ
IN(1)
分+ 0.15V ） 。
注13 ：
输出下降时间是从（Ⅴ测定
IN(1)
分+ 0.15V ）至（Ⅴ
IN(0)
马克斯 - 0.15V ） 。
注14 ：
抱着SMBDAT和/或SMBCLK线为低的时间间隔大于t时
TIMEOUT
将复位LM95234的SMBus的状态机，从而设置
SMBDAT和SMBCLK引脚为高阻抗状态。
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