LM95234
20106315
图9.热二极管电流路径
TruTherm只能测量温时启用
的晶体管集成的perature所示的处理器
of
图9中，
因为
式（5）
仅适用于这种拓扑结构。
3.1.2计算总系统精度
看到的LM95234电压也包括我
F
R
S
电压
串联电阻的年龄下降。非理想因子，
η,
是唯一的其他参数没有考虑和依赖
对于所使用的用于测量的二极管。自
ΔV
BE
is
成比例的两个
η
和T ，在该变型
η
不能
由温度的变化区别开来。由于非
理想因子不是由温度传感器控制的，它
将其直接添加到传感器的不精确性。对于供
在65纳米制程的英特尔处理器，英特尔指定了+ 4.06 ％ /
以-0.897 ％的变化
η
从零件到部件，当处理器
二极管是由假定二极管方程的电路测量
式（4） ，
为true。作为一个例子，假设一个温度
传感器具有精度规格的±1.0 ℃，在一个temper-
为80℃ （ 353开尔文） ，并且处理器二极管ATURE具有非
0.27％ - 的1.19 ％ /理想的变化。所形成的系统
的被感测处理器的温度精度为：
T
加
= + 1.0 ° C + = 15.3 ° C（ + 4.06的353 ％ ）
和
T
加
= - 1.0 ° C + = -4.1 ° C（ -0.89的353 ％ ）
TrueTherm技术使用的晶体管方程
方程
4,
导致非理想性传播，真正体现了亲
塞斯变化，这是非常小的。晶体管公式
非理想性传播是± 0.39％的英特尔处理器
90纳米制程。使用TruTherm时所得到的精度
BJT的β补偿技术提高到：
T
加
= ± 0.75 ° C + （ ± 353 0.39 ％ ） = ± 2.16 ℃，
下一个误差项将要讨论的是，由于串联
热二极管的电阻和印刷电路板
痕迹。热敏二极管串联电阻上指定
大多数处理器数据手册。对于65纳米英特尔处理器
过程中，这被指定为4.52Ω典型。该LM95234 AC-
commodates英特尔处理器的典型的串联电阻
在65纳米制程。未占误差是
处理器的串联电阻的扩散，即2.79Ω至
6.24Ω或±1.73Ω 。的公式来计算温度
错误是由于串联电阻（T
ER
）为LM95234很简单：
奔腾III
CPUID 67H
Pentium III处理器CPUID
68h/
PGA370Socket/
赛扬
Pentium 4处理器， 423针
Pentium 4处理器， 478针
奔腾4 0.13
微米制程， 2 -
3.06 GHz的
(6)
求解
式（6）
对于R
PCB
等于±1.73Ω结果在
由于传播中的串联电阻的附加误差
± 1.07 ℃。在误差扩散不能被抵消，因为它
需要测量每个单独的热敏二极管DE-
副。这是相当困难的，也是不切实际的大体积
生产环境。
式（6）
也可以被用于计算额外的错误
引起印刷电路板的串联电阻。自
PCB的串联电阻的变化是最小的，大容量
的误差项始终是积极的，可以简单地能够 -
细胞型通过从的输出读数中减去它
LM95234.
处理器系列
晶体管公式
η
T
,
非理想
民
英特尔处理器
65纳米制程
处理器系列
0.997
典型值
1.001
最大
1.005
4.52
系列
R,
二极管方程式
η
D
，非
理想
民
1
典型值
1.0065
最大
1.0125
系列
R,
1.0057
1.008
1.0125
0.9933
0.9933
1.0011
1.0045
1.0045
1.0021
1.0368
1.0368
1.0030
3.64
Pentium 4处理器90纳米
1.0083
过程
英特尔处理器
65纳米制程
34
1.011
1.009
1.023
1.050
3.33
4.52
1.000
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