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APT5010JLLU3
ISOTOP
降压斩波
MOSFET功率模块
D
V
DSS
= 500V
R
DSON
=最大值为100mΩ @ TJ = 25°C
I
D
= 41A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
ISOTOP
封装（ SOT- 227 ）
极低的杂散电感
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
很皮实
低调
符合RoHS
G
S
A
S
G
D
A
ISOTOP
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
IF
A V
IF
RMS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
最大平均正向电流
占空比= 0.5
RMS正向电流（方波，占空比为50％ ）
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
mJ
A
TC = 80℃
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
www.Microsemi.com
1–7
APT5010JLLU3 - 修订版2006年6月1日
最大额定值
500
41
30
164
±30
100
378
41
50
1600
30
39
单位
V
A
V
m
W
A
