TCET111.(G)
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
10000
10000.00
日前，Vishay
250
200
PHOTOTRANSISTOR
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
1000
1000.00
V
CE
= 30 V
150
红外二极管
100
100.00
10 V
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
10
10.00
1
1.00
0
16738
16736
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
120
图6.总功率耗散与环境温度
图9.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
1000.0
V
CE
=5V
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
10.0
1
1.0
0.1
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
V
F
- 正向电压（ V）
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图7.正向电流与正向电压
图10.集电极电流与正向电流
100
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.20
I
C
- 集电极电流（mA ）
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
1
2mA
1mA
0.1
0.1
95 10985
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
–40 –20
VCE = 5 V
IF = 5毫安
0
20
40
60
80 100 120
1
10
100
16737
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图8.相对电流传输比与环境
温度
图11.集电极电流与集电极发射极电压
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6
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
