RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
典型性能曲线
1000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
除非另有规定编
（续）
-60
V
DS
，漏源极电压（ V）
-10.0
V
DD
= BV
DSS
-45
R
L
= 1.2
I
G（ REF ）
= 1.45毫安
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
-15
0.25 BV
DSS
V
GS
= -10V
0
0.0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
-2.5
V
DD
= BV
DSS
-7.5
V
GS
，门源电压（ V）
800
C，电容（pF ）
C
国际空间站
600
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
-30
-5.0
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
V
DS
，漏源极电压（ V）
注意：
图12.电容VS漏源极电压
参见飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
t
AV
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
R
G
0
-
V
DD
+
0V
t
P
-V
GS
DUT
V
DD
I
AS
t
P
V
DS
BV
DSS
I
AS
0.01
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
t
r
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
10%
10%
R
L
V
DS
V
GS
-
+
0
V
DS
0
90%
90%
0V
R
GS
-V
GS
DUT
10%
50%
V
GS
脉冲宽度
90%
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
2002仙童半导体公司
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E Rev.B的
