微处理器和非易失性

内存监控电路

MAX792/MAX820

芯片使能信号选通

该MAX792 / MAX820提供了芯片级的内部门

使能（CE ）信号，从而防止错误的数据

从破坏CMOS RAM中的不足的情况下

电压条件。该MAX792 / MAX820采用了一系列的

从传输门

CE

中

CE

OUT （图1） 。

在正常操作（复位不能断言） ，则CE

传输门被启用，通过所有CE跃迁

系统蒸发散。当复位有效，此路径显示

禁止时，防止腐蚀的错误数据

CMOS RAM 。从10ns的CE最大传播延迟

CE

中

CE

OUT使MAX792 / MAX820是

与大多数的μP使用。如果

CE

IN为低电平时复位断言，

CE

OUT保持低一小段时间，以允许的COM

完井当前的写周期。

V

CC

RESET

门槛

CE IN

CE OUT

15s

70s

70s

RESET

RESET

芯片使能输入

行政长官传输门被禁用，

CE

在高

阻抗（禁用模式），而复位有效。

在一次断电顺序当V

CC

通

复位门限，则CE传输门和禁用

CE

立即成为当电压高阻抗

年龄

CE

IN为高。如果

CE

IN为低电平时复位assert-

ED的CE传输门会关闭的那一刻

CE

IN变为高电平或复位后为15μs是断言，

以先到为准（图9） 。这使得电流

租写周期过程中断电来完成。

在上电顺序，在CE传输门

保持禁用和

CE

在保持高阻抗

不管

CE

在活动中，直到复位失效跟着

哞哞叫的复位超时周期。

虽然禁用，

CE

IN为高阻抗。当CE

传输门电路被使能，阻抗

CE

IN

将显示为75Ω （V

CC

= 5V）电阻器串联

负载在

CE

出。

通过CE传输的传播延迟

门依赖于V

CC,

的源阻抗

驱动器连接到

CE

中，并在装载

CE

OUT

（见芯片使能传输延迟 -

CE

OUT

在负载电容图

典型工作

特性） 。

行政长官传播延迟生产

从50％点和灰测试

CE

中的50％的

点上

CE

OUT采用50Ω驱动器负载和50pF的

电容（图10） 。最小传播

延迟，以减小电容性负载

CE

OUT和使用

一个低输出阻抗的驱动程序。

图9.复位和芯片使能定时

+5V

3

V

CC

14

50Ω驱动器

MAX792

MAX820

CE IN

CE OUT

13

C

负载

GND

12

图10. CE传输延迟测试电路

芯片使能输出

当CE传输门被启用时，阻

的ANCE

CE

输出相当于75Ω串联在

源极驱动

CE

IN 。在禁用模式下， 75Ω

传输门是关闭的，有源上拉所连接

从

CE

OUT到V

CC

。此源关闭时，

传输门处于开启状态。

应用信息

连接一个0.1μF的陶瓷电容， V

CC

到GND ，

尽量靠近器件引脚越好。这将减少

复位由于高频的概率加电

电源瞬变。在高噪声的环境中，额外

从V tional旁路电容

CC

对地可

所需。如果长引线连接到芯片的输入端，

确保这些线是无振铃，等等，这

将正向偏置芯片的保护二极管。

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