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在600毫安PWM降压型转换器
采用2mm x 2mm WLP封装，用于WCDMA PA供电
电气特性（续）
(V
IN1A
= V
IN1B
= V
IN2
= V
PA_EN
= V
EN1
= V
EN2
= 3.6V, V
HP
= 0V, V
REFIN
= 0.9V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在T
A
=
+ 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
LX
导通电阻
LX漏电流
P沟道MOSFET峰值
电流限制
n沟道MOSFET谷
电流限制
最小导通和截止时间
上电延时
绕行
导通电阻
旁路电流限制
总旁路电流限制
旁路断漏泄电流
LDO1
MAX8805YEWEAA+T
MAX8805YEWEBC+T
输出电压V
LDO1
V
IN2
= 5.5V ，我
LDO1
= 1毫安;
V
IN2
= 3.4V ，我
LDO1
= 100毫安
MAX8805YEWECC+T
MAX8805YEWEDD+T
MAX8805YEWEEE+T
MAX8805YEWEGG+T
输出电流
电流限制
输入输出电压差
线路调整
负载调整率
电源抑制
ΔV
LDO1
/
ΔV
IN2
输出噪声
输出电容稳定
手术
关断输出阻抗
V
LDO1
= 0V
I
LDO1
= 100毫安，T
A
= + 25°C （V
LDO1
≥
2.5V)
V
IN2
从3.5V踩至5.5V ，我
LDO1
= 100毫安
I
LDO1
走下50μA 200mA的
为10Hz到10kHz ，C
LDO1
= 1μF ，我
LDO1
= 30毫安
为100Hz至100kHz ，C
LDO1
= 1μF ，我
LDO1
= 30毫安
0℃，我
LDO1
＆ LT ; 10毫安
0℃，我
LDO1
< 200毫安
V
EN1
= 0V
1.746
2.425
2.619
2.716
2.765
2.910
200
250
550
70
2.4
25
70
35
100
1
1
750
200
1.8
2.5
2.7
2.8
2.85
3.0
1.854
2.575
2.781
2.884
2.936
3.090
mA
mA
mV
mV
mV
dB
V
RMS
nF
F
kΩ
V
p沟道MOSFET旁路
I
OUT
= -90mA
V
PA
= 0
V
LX
= V
PA
= 0
V
IN1A
= V
IN1B
= V
IN2
= 5.5V,
V
PAA
= V
PAB
= 0V
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
0.8
0.7
1.5
0.060
0.1
1.2
0.9
2.1
0.01
1
1.8
1.1
2.9
10
0.1
Ω
A
A
A
A
从PA_EN上升到LX上升
p沟道MOSFET开关，我
LX
= -40mA
n沟道MOSFET整流，我
LX
= 40毫安
V
IN1A
= V
IN1B
= V
IN2
= 5.5V,
V
LX
= 0V
V
LX
= 0V
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
0.7
0.5
0.18
0.15
0.1
1
0.9
0.7
0.1
150
250
1.1
0.9
0.6
0.6
5
Ω
A
A
A
s
s
条件
民
典型值
最大
单位
MAX8805Y/MAX8805Z
降压限流的旁路V
LX
= 0
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