EVB71120
300 930MHz接收器
评估板说明
3.3
对于双通道应用组件列表
值@
315兆赫
100 pF的
4.7 pF的
100 pF的
100 pF的
NIP
NIP
33 nF的
330 pF的
330 pF的
330 pF的
680 pF的
330 pF的
下面的表是有效的在图3.1 3.2示出的测试电路。
部分
C3
C4
C5
C6
C7
C8
CB0
CB1
CB2
CB3
CF1
CF2
CF3
CIF
CP1
CP2
CRS
CRO
CSL
CX
L1
L2
L3
L4
RCL
SAW
FIL
CER
FIL
SIZE
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0805
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
0603
SMD
3x3
SMD
3.45x3.1
SMD
6.5x6.0
值@
值@
433.92兆赫868.3兆赫
100 pF的
3.9 pF的
100 pF的
100 pF的
NIP
NIP
33 nF的
330 pF的
330 pF的
330 pF的
680 pF的
330 pF的
100 pF的
2.2 pF的
100 pF的
100 pF的
3.9 pF的
1.0 pF的
33 nF的
330 pF的
330 pF的
330 pF的
680 pF的
330 pF的
值@
915兆赫
100 pF的
1.5 pF的
100 pF的
100 pF的
NIP
NIP
33 nF的
330 pF的
330 pF的
330 pF的
680 pF的
330 pF的
TOL 。
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
±5%
描述
LNA的输入滤波电容
LNA输出槽路电容
MIX1正输入匹配电容
MIX1负输入匹配电容
匹配电容
匹配电容
±10%
去耦电容
±10%
去耦电容
±10%
去耦电容
±10%
去耦电容
±10%
±10%
±10%
数据的低通滤波电容器，
对于4 kbps的NRZ数据速率
数据的低通滤波电容器，
对于4 kbps的NRZ数据速率
可选的电容器噪声消除
滤波器
积极PKDET电容，
对于4 kbps的NRZ数据速率
负PKDET电容，
对于4 kbps的NRZ数据速率
根据数据速率值
如果连接不使用噪声滤波器接地
1 nF的
1 nF的
1 nF的
1 nF的
33 nF的
33 nF的
1 nF的
1 nF的
100 nF的
27 pF的
56 nH的
27 nH的
0
Ω
56 nH的
3.3 kΩ
Y
R
A
IN
IM
L
E
R
P
33 nF的
33 nF的
33 nF的
±10%
±10%
33 nF的
1 nF的
33 nF的
1 nF的
33 nF的
1 nF的
±10%
±5%
1 nF的
1 nF的
1 nF的
可选的电容，
耦合外部RO信号
数据限幅器的电容器，
对于4 kbps的NRZ数据速率
水晶系列电容器
匹配电感
100 nF的
27 pF的
100 nF的
27 pF的
0
Ω
100 nF的
27 pF的
0
Ω
对于平均检测模式只
27 nH的
15 nH的
82 nH的
±10%
±5%
±5%
±5%
±5%
3.9 nH的
22 nH的
22 nH的
3.9 nH的
0
Ω
0
Ω
LNA输出电感坦克
匹配电感
匹配电感
68 nH的
±5%
3.3 kΩ
3.3 kΩ
3.3 kΩ
±5%
SAFCC433M
BL0X00
（ 433.92 MHz）的
SAFCC868M
SL0X00
（ 868.3兆赫）
SAFCC915M
AL0N00
（ 915兆赫）
低损耗村田SAW滤波器
或等效的部分
SFECF10M7HA00
B
3dB
= 180千赫
CFUKG455KD4A
B
6dB
= 20千赫
24.701111
兆赫
24.416667
兆赫
25.713889
兆赫
25.429306
兆赫
24.132083
兆赫
±20ppm
CAL 。 ，
±30ppm
温度。
±10%
IFA反馈电容
RSSI输出低通电容，
对于4 kbps的NRZ数据速率
可选的CLK输出电阻，
到时钟输出信号而产生
SAFDC315M
SM0T00
（ 315兆赫）
IF2 = 10.7MHz中频陶瓷滤波器
村田制作所，
或等效的部分
IF2=455kHz
IF2 = 10.7MHz的基本模式
水晶从Telcona ，
IF2 = 455 kHz时或等值部分
18.094444
兆赫
XTAL
SMD
5x3.2
17.525278
兆赫
注意：
NIP - 不到位，可以任选地使用
39012 71120 01
修订版003
第14页18
EVB说明
Jan/08
