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（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
文档标题
4M闪存
修订历史
版本号
牧师0A
数据
2004年3月15日
初始发行版本。
1.复位＃表1中的偏压condtion为A9的高电压
方法是从V改变
ID
到H.
2. A9的表1中的偏置条件， A9的高电压的方法
牧师0B
2004年4月23日
被添加。
3.典型的字节和字编程时间是从改变
5us的/ 7us到6US / 8US 。
4. FBGA封装的尺寸是由8× 9毫米改变为6× 8毫米。
1. 60R被除去。
2. 44芯-SO被除去。
3. ICC 3 （最大值）是由5UA变更为10微安。
4. ICC4 （最大值）是由5UA变更为10微安。
5. ICC5 （最大值）是由5UA变更为10微安。
修订版0℃
2004年12月1日
6， V
白细胞介素（最大）
从0.8V变到0.5V 。
7. FBGA中，A （最大值）的总厚度，从1.20变
1.10 。因此，球高度（A1）和机身厚度（A2）的
也相应改变。
8. FBGA ， B（分） ， B（ NOM ） ，B （最大）的球径，是
为0.25 ， 0.30 ，和0.35至0.30 ， 0.35 ，和0.40变
分别。
1.擦除箭头挂起读来读改为
牧师0D
2004年12月13日
扇区擦除。
2. V
LKO
（分钟） ， 2.3V加到
项
ES29LV400D
51
2006年Rev.1C 1月5日，
