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（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
表16.擦除和编程性能
参数
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字节编程时间
Word程序时
字节模式
芯片编程时间（注3 ）
文字模式
典型值（注1 ）
0.7
8
6
8
3.1
2.1
最大值（注2）
10
单位
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
评论
排除00H编程之前，
删除（注4 ）
150
210
9.3
6.3
us
us
美国证券交易委员会
不包括系统级开销（注5 ）
注意事项：
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件： 25
o
C， 3.0V的Vcc ， 10,000次。此外，编程
标准结构呈棋盘图案。
90 2.在最坏的情况下
o
C， VCC = 2.7V ， 10万次。
3.典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多，因为大多数字节
比计划中所列的最高纲领倍的速度。
4.在嵌入式擦除算法的预编程步骤，所有字节擦除之前为00h 。
5.系统级开销是要执行的两个或四个总线周期序列的程序指令所需要的时间。看
表5有关命令定义的详细信息。
6.该器件具有10万次最小擦除和编程周期耐力
.
表17.闭锁特性
描述
输入电压相对于VSS的所有引脚除了I / O引脚（包括A9 ， OE ＃和RESET ＃ ）
输入电压相对于VSS的所有I / O引脚
VCC电流
- 1.0V
- 1.0V
- 100毫安
民
12.5 V
最大
VCC + 1.0 V
100毫安
注意：
除了包括所有的Vcc引脚。测试条件： VCC = 3.0 V， 1针的时间
表18. TSOP ，所以，和BGA封装电容
参数符号
C
IN
参数说明
输入电容
V
IN
= 0
测试设置
TSOP
FBGA
TSOP
典型值
6
4.2
8.5
5.4
7.5
3.9
最大
7.5
5.0
12
6.5
9
4.7
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
C
OUT
输出电容
V
OUT
= 0
FBGA
TSOP
C
IN2
控制引脚电容
V
IN
= 0
FBGA
注意事项：
1.采样，而不是100 ％测试。
2.测试条件TA = 25
o
C，F = 1.0MHz的。
表19.数据保留
参数说明
最小模式数据保存时间
125
o
C
20
岁月
测试条件
150
o
C
民
10
单位
岁月
ES29LV400D
43
2006年Rev.1C 1月5日，
