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MB95100B系列
6.闪存编程/擦除特性
参数
扇区擦除时间
（ 4K字节扇区）
扇区擦除时间
（ 16K字节扇区）
字节编程时间
编程/擦除周期
电源电压为
编程/擦除
闪存数据保留
时间
价值
民
10000
2.7
20*
3
典型值
0.2*
1
0.5*
1
32
最大
3.0*
2
12.0*
2
3600
3.3
单位
s
s
s
周期
V
YEAR
平均牛逼
A
= +85 °C
备注
排除00
H
编程前擦除。
排除00
H
编程前擦除。
不包括系统级开销。
*1 : T
A
= +
25
°C,
V
CC
=
3.0 V， 10000次
*2 : T
A
= +
85
°C,
V
CC
=
2.7 V ， 10000次
* 3 ：该值来自于技术资格（使用Arrhenius方程来翻译高温
测量到的归一化值
+85 °C)
.
7. FRAM方案特点
参数
读/写周期*
电源电压为
读/写
数据保存时间
*：读取数据的次数/写
价值
民
10
10
2.7
10
典型值
最大
3.6
单位
周期
V
YEAR
T
A
=
0
°C
to
+55 °C
备注
64
